[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201510731674.3
• 申請日: 2015-11-02
• 公開（公告）號: CN105576029B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 三室陽一
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

1.一種半導體裝置，其包含MOS晶體管，該MOS晶體管具有設置在硅襯底上的LOCOS氧化膜；設置在溝道區的表面、比所述LOCOS氧化膜薄且膜厚均勻的柵極氧化膜，所述溝道區是在所述硅襯底上、所述LOCOS氧化膜以外的有源區內的、鄰接于所述LOCOS氧化膜的區域；形成在所述柵極氧化膜和所述LOCOS氧化膜上的柵極；以及所述有源區內的、與所述溝道區相反方向的、鄰接于所述LOCOS氧化膜的、包含高濃度區域的漏極區，所述半導體裝置的特征在于，

在所述高濃度區域的表面上，具有膜厚比所述柵極氧化膜厚且比所述LOCOS氧化膜薄的、均勻膜厚的漏極氧化膜。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述漏極氧化膜的耐壓高于所述漏極的耐壓。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極與所述LOCOS氧化膜具有所述LOCOS氧化膜的溝道方向長度的1/2以上的重疊長度。