[發明專利]一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲

在審

• 申請號: 201510731636.8
• 申請日: 2015-10-31
• 公開（公告）號: CN105355623A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 計志峰
• 申請（專利權）人: 嘉興市上村電子有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/56
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 吳建鋒

技術領域

本發明涉及LED技術領域，尤其涉及一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲。

背景技術

隨著LED技術的不斷成熟，傳統白熾燈將逐漸被LED燈絲燈所取代。為了增加出光面積和角度，LED燈絲燈通常由多條LED燈絲相互拼接組成。現有技術中，LED燈絲通常采用金屬基板等非透光基板，只能單面透光，其單根LED燈絲的出光角度最多只能為180°，這大大限制了LED的發光效果。同時現有技術中，LED燈絲上的LED芯片通常采用已封裝好的LED燈珠焊接在基板上，不僅增加了LED燈絲的尺寸，同時增加了LED燈絲制備工藝的復雜度。另外，LED燈絲上的電阻元件通常采用貼片電阻以焊接的方式固定在LED燈絲上，貼片電阻的一致性和穩定性存在無法得到保證，尤其在LED燈絲長時間使用的情況下，會極大影響LED燈絲的壽命，同時也增加了LED燈絲制備工藝的復雜度。

故，針對目前現有技術中存在的上述缺陷，實有必要進行研究，以提供一種方案，解決現有技術中存在的缺陷。

發明內容

為了解決現有技術存在的問題，本發明的目的在于提供一種用于LED燈絲并使其實現360°出光的基于透明陶瓷基板的LED燈絲。

為了克服現有技術的缺陷，本發明的技術方案為：

一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個固晶區，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區內，所述多個倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層的端部設有電極，所述電極用于與外接驅動電源相連接；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。

優選地，所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述透明陶瓷基板上。

優選地，所述ITO薄膜層通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板上。

優選地，根據所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應量的ITO材料，從而實現設置不同阻值的電阻。

優選地，所述透明陶瓷基板為長條形，所述電極設置在長條形透明陶瓷基板的兩端。

優選地，所述倒裝LED裸芯片通過固晶膠固定在所述固晶區。

優選地，所述ITO薄膜層為35μm～280μm。

優選地，所述線路層在所述固晶區兩端區域分別設有電極焊點，所述倒裝LED裸芯片上設有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。

優選地，所示電極焊點上涂覆銀膠。

相對于現有技術，采用本發明的技術方案，由于采用透明陶瓷基板，從而使LED芯片真正實現360°出光，大大提升了LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在透明陶瓷基板上，大大縮小了LED燈絲的尺寸，與正裝LED裸芯片相比，采用倒裝LED裸芯片省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時也避免了金線對LED出射光線的阻礙，提高了發光效率。同時導電層采用ITO材料，其電阻率遠大于銅等金屬，故可在線路層上直接沉積ITO材料形成電阻，從而不需要焊接電阻元件，并保證了電阻元件的一致性和穩定性，從而延長LED燈絲的使用壽命。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的結構示意圖。

圖2為本發明實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的平面結構示意圖。

具體實施方式

以下是本發明的具體實施例并結合附圖，對本發明的技術方案作進一步的描述，但本發明并不限于這些實施例。

為了克服現有技術存在的缺陷，請參閱圖1，為本發明實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的結構示意圖，其包括透明陶瓷基板1，透明陶瓷基板1是一塊薄玻璃片，其表面非常光滑，透光率在95％以上。該透明陶瓷基板1上設置一層ITO薄膜層，一層ITO(氧化銦錫)薄膜層，ITO薄膜層是通過濺射工藝或者通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板1上，其厚度為35μm～280μm。材料ITO(氧化銦錫)同時具有優良電學傳導和光學透明的特性，作為透明傳導鍍膜應用廣泛。由于采用透明陶瓷基板，從而使LED燈絲真正實現360°出光，大大提升了LED燈絲的立體出光效果。