[發(fā)明專利]發(fā)光模組及其電路板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510729335.1
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN105578712A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 洪政煒;蔡孟庭;林育鋒
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術領域

本發(fā)明涉及一種驅動覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組，尤指一種 可以提高散熱效率之驅動覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組。

背景技術

由于發(fā)光二極體(lightemittingdevice,LED)具有壽命長、體積小及耗 電量低等優(yōu)點，發(fā)光二極體已被廣泛地應用于各種照明裝置中。一般而 言，當發(fā)光二極體的溫度升高時，發(fā)光二極體的發(fā)光效率會顯著下降， 并縮短發(fā)光二極體的使用壽命。隨著發(fā)光二極體逐漸被應用于各種照明 用途中，發(fā)光二極體的散熱問題更加重要。

在現(xiàn)有技術中，承載發(fā)光二極體的基板是由氧化鋁(Al2O3)或其他具 絕緣及高導熱特性的材料所形成，以對發(fā)光二極體進行散熱。然而氧化 鋁材料的導熱系數(shù)仍較金屬材料的導熱系數(shù)低，因此現(xiàn)有技術并無法進 一步提高發(fā)光二極體照明裝置的散熱效率。

發(fā)明內容

本發(fā)明之目的在于提供一種可以提高散熱效率之驅動覆晶發(fā)光晶 片之電路板及發(fā)光模組，以解決現(xiàn)有技術的問題。

本發(fā)明驅動覆晶發(fā)光晶片之電路板包含一金屬基板，具有一第一表 面，以及一第二表面相對于該第一表面，該第一表面包含一第一電極區(qū)、 一第二電極區(qū)以及一導熱區(qū)；一第一金屬電極，形成于該第一電極區(qū)上， 用以提供一第一電壓；一第一絕緣層，形成于該第一金屬電極及該金屬 基板之間；一第二金屬電極，形成于該第二電極區(qū)上，用以提供一第二 電壓；一第二絕緣層，形成于該第二金屬電極及該金屬基板之間；以及 一防焊層，覆蓋于該金屬基板的第一表面上；其中該導熱區(qū)是外露于該 防焊層。

本發(fā)明發(fā)光模組包含一覆晶發(fā)光晶片，以及一電路板。該覆晶發(fā)光 晶片包含一第一電極及一第二電極。該電路板包含一金屬基板，具有一 第一表面，以及一第二表面相對于該第一表面，該第一表面包含一第一 電極區(qū)、一第二電極區(qū)以及一導熱區(qū)；一第一金屬電極，形成于該第一 電極區(qū)上，用以提供一第一電壓至該覆晶發(fā)光晶片之該第一電極；一第 一絕緣層，形成于該第一金屬電極及該金屬基板之間；一第二金屬電極， 形成于該第二電極區(qū)上，用以提供一第二電壓至該覆晶發(fā)光晶片之該第 二電極；一第二絕緣層，形成于該第二金屬電極及該金屬基板之間；以 及一防焊層，覆蓋于該金屬基板的第一表面上；其中該導熱區(qū)是外露于 該防焊層，且該導熱區(qū)是連接至該覆晶發(fā)光晶片。

相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明是利用金屬基板作為之覆晶發(fā)光晶片之電 路基板，且金屬基板具有一外露之導熱區(qū)用以間接或直接連接至覆晶發(fā) 光晶片，以快速地將覆晶發(fā)光晶片于發(fā)光時產生之熱量經(jīng)由導熱區(qū)導引 至金屬基板，再藉由金屬基板將熱量散去。因此本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之 電路板及發(fā)光模組具有較佳的散熱效率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板的示意圖。

圖2是圖1覆晶發(fā)光晶片之電路板的剖面圖。

圖3是本發(fā)明發(fā)光模組的第一實施例的示意圖。

圖4是本發(fā)明發(fā)光模組的第二實施例的示意圖。

具體實施方式

請同時參考圖1及圖2。圖1是本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板的示 意圖。圖2是圖1覆晶發(fā)光晶片之電路板的剖面圖。如圖所示，本發(fā)明 覆晶發(fā)光晶片之電路板100包含一金屬基板110，一第一金屬電極120， 一第一絕緣層130，一第二金屬電極140，一第二絕緣層150以及一防 焊層160。金屬基板110具有一第一表面170，以及一第二表面180相 對于該第一表面170。第一表面170包含一第一電極區(qū)172、一第二電 極區(qū)174以及一導熱區(qū)176。第一電極區(qū)172及第二電極區(qū)174可以是 在第一表面170上進行蝕刻所形成之凹陷區(qū)域，但本發(fā)明不以此為限。 第一金屬電極120是形成于第一電極區(qū)172上。第一絕緣層130是形成 于第一金屬電極120及金屬基板110之間，以避免第一金屬電極120和 金屬基板110導通。第二金屬電極140是形成于第二電極區(qū)174上。第 二絕緣層150是形成于第二金屬電極140及金屬基板110之間，以避免 第二金屬電極140和金屬基板110導通。由于第一絕緣層130及第二絕 緣層150之配置，導熱區(qū)176是不電連接于第一金屬電極120及第二金 屬電極140。防焊層160是覆蓋于金屬基板110的第一表面170上。防 焊層360可以避免焊錫四處流動，且具有絕緣功能。導熱區(qū)176是外露 于防焊層160。