[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光模組及其電路板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510729335.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105578712A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪政煒;蔡孟庭;林育鋒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 新世紀(jì)光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H05K1/02 | 分類(lèi)號(hào): | H05K1/02;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 模組 及其 電路板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組,尤指一種 可以提高散熱效率之驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組。
背景技術(shù)
由于發(fā)光二極體(lightemittingdevice,LED)具有壽命長(zhǎng)、體積小及耗 電量低等優(yōu)點(diǎn),發(fā)光二極體已被廣泛地應(yīng)用于各種照明裝置中。一般而 言,當(dāng)發(fā)光二極體的溫度升高時(shí),發(fā)光二極體的發(fā)光效率會(huì)顯著下降, 并縮短發(fā)光二極體的使用壽命。隨著發(fā)光二極體逐漸被應(yīng)用于各種照明 用途中,發(fā)光二極體的散熱問(wèn)題更加重要。
在現(xiàn)有技術(shù)中,承載發(fā)光二極體的基板是由氧化鋁(Al2O3)或其他具 絕緣及高導(dǎo)熱特性的材料所形成,以對(duì)發(fā)光二極體進(jìn)行散熱。然而氧化 鋁材料的導(dǎo)熱系數(shù)仍較金屬材料的導(dǎo)熱系數(shù)低,因此現(xiàn)有技術(shù)并無(wú)法進(jìn) 一步提高發(fā)光二極體照明裝置的散熱效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的在于提供一種可以提高散熱效率之驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶 片之電路板及發(fā)光模組,以解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題。
本發(fā)明驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板包含一金屬基板,具有一第一表 面,以及一第二表面相對(duì)于該第一表面,該第一表面包含一第一電極區(qū)、 一第二電極區(qū)以及一導(dǎo)熱區(qū);一第一金屬電極,形成于該第一電極區(qū)上, 用以提供一第一電壓;一第一絕緣層,形成于該第一金屬電極及該金屬 基板之間;一第二金屬電極,形成于該第二電極區(qū)上,用以提供一第二 電壓;一第二絕緣層,形成于該第二金屬電極及該金屬基板之間;以及 一防焊層,覆蓋于該金屬基板的第一表面上;其中該導(dǎo)熱區(qū)是外露于該 防焊層。
本發(fā)明發(fā)光模組包含一覆晶發(fā)光晶片,以及一電路板。該覆晶發(fā)光 晶片包含一第一電極及一第二電極。該電路板包含一金屬基板,具有一 第一表面,以及一第二表面相對(duì)于該第一表面,該第一表面包含一第一 電極區(qū)、一第二電極區(qū)以及一導(dǎo)熱區(qū);一第一金屬電極,形成于該第一 電極區(qū)上,用以提供一第一電壓至該覆晶發(fā)光晶片之該第一電極;一第 一絕緣層,形成于該第一金屬電極及該金屬基板之間;一第二金屬電極, 形成于該第二電極區(qū)上,用以提供一第二電壓至該覆晶發(fā)光晶片之該第 二電極;一第二絕緣層,形成于該第二金屬電極及該金屬基板之間;以 及一防焊層,覆蓋于該金屬基板的第一表面上;其中該導(dǎo)熱區(qū)是外露于 該防焊層,且該導(dǎo)熱區(qū)是連接至該覆晶發(fā)光晶片。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明是利用金屬基板作為之覆晶發(fā)光晶片之電 路基板,且金屬基板具有一外露之導(dǎo)熱區(qū)用以間接或直接連接至覆晶發(fā) 光晶片,以快速地將覆晶發(fā)光晶片于發(fā)光時(shí)產(chǎn)生之熱量經(jīng)由導(dǎo)熱區(qū)導(dǎo)引 至金屬基板,再藉由金屬基板將熱量散去。因此本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之 電路板及發(fā)光模組具有較佳的散熱效率。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板的示意圖。
圖2是圖1覆晶發(fā)光晶片之電路板的剖面圖。
圖3是本發(fā)明發(fā)光模組的第一實(shí)施例的示意圖。
圖4是本發(fā)明發(fā)光模組的第二實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)同時(shí)參考圖1及圖2。圖1是本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板的示 意圖。圖2是圖1覆晶發(fā)光晶片之電路板的剖面圖。如圖所示,本發(fā)明 覆晶發(fā)光晶片之電路板100包含一金屬基板110,一第一金屬電極120, 一第一絕緣層130,一第二金屬電極140,一第二絕緣層150以及一防 焊層160。金屬基板110具有一第一表面170,以及一第二表面180相 對(duì)于該第一表面170。第一表面170包含一第一電極區(qū)172、一第二電 極區(qū)174以及一導(dǎo)熱區(qū)176。第一電極區(qū)172及第二電極區(qū)174可以是 在第一表面170上進(jìn)行蝕刻所形成之凹陷區(qū)域,但本發(fā)明不以此為限。 第一金屬電極120是形成于第一電極區(qū)172上。第一絕緣層130是形成 于第一金屬電極120及金屬基板110之間,以避免第一金屬電極120和 金屬基板110導(dǎo)通。第二金屬電極140是形成于第二電極區(qū)174上。第 二絕緣層150是形成于第二金屬電極140及金屬基板110之間,以避免 第二金屬電極140和金屬基板110導(dǎo)通。由于第一絕緣層130及第二絕 緣層150之配置,導(dǎo)熱區(qū)176是不電連接于第一金屬電極120及第二金 屬電極140。防焊層160是覆蓋于金屬基板110的第一表面170上。防 焊層360可以避免焊錫四處流動(dòng),且具有絕緣功能。導(dǎo)熱區(qū)176是外露 于防焊層160。
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