[發明專利]半導體激光元件

有效

• 申請號: 201510727015.2
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN105576500B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 平尾剛
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉曉迪

本發明的目的在于提供一種半導體激光元件，即使對多個串聯連接實現的用途，也能夠有效地發揮作用。本發明的半導體激光元件具備：在表面形成有脊的半導體層疊體、在所述脊上與所述半導體層疊體接觸配置的沿長度方向延伸的第一電極層、從該第一電極層的側面至少將一部分的上面覆蓋的電流注入阻止層、配置在該電流注入阻止層的第二電極層，所述電流注入阻止層以所述第一電極層和所述半導體層疊體的接觸面積的18％～80％與所述第一電極層接觸，所述第二電極層與所述第一電極層的一部分接觸。

技術領域

本發明涉及半導體激光元件。

背景技術

近年來，半導體激光元件在各種用途中使用。例如，將多個半導體激光元件串聯連接，用作投影儀的光源。

在半導體激光元件的這樣的用途中，當一個半導體激光元件成為不通狀態時，即使另一個半導體激光元件是可通電的元件，串聯連接在一起的全部半導體激光元件的通電也會停止，不作為光源發揮作用。因此，為了確保半導體激光元件引起的光源的長期可靠性，需要避免各個半導體激光元件的不通狀態。

另一方面，為了將半導體激光元件的水平方向的FFP單峰化，且為了抑制電流向特定區域的集中而使NFP均勻化及/或為了抑制泄漏電流的發生等，正在研究可實現各個半導體激光元件的特性的維持及提高的設計(例如，專利文獻1～3等)。

專利文獻1：(日本)特開2000－196181號公報

專利文獻2：(日本)特開2004－273955號公報

專利文獻3：(日本)特開2011－258883號公報

發明內容

本發明是鑒于上述課題而設立的，其目的在于提供一種半導體激光元件，能夠避免半導體激光元件的不通狀態，例如即使對上述的多個串聯連接實現的用途，也可有效地發揮作用。

本發明包含以下方面。

(1)一種半導體激光元件，其特征在于，具備：

在表面形成有脊的半導體層疊體；

在所述脊上與所述半導體層疊體接觸配置的沿長度方向延伸的第一電極層；

從該第一電極層的側面至少將上面的一部分覆蓋的電流注入阻止層；

配置在該電流注入阻止層上的第二電極層，

所述電流注入阻止層以所述第一電極層和所述半導體層疊體的接觸面積的18％～80％與所述第一電極層接觸，

所述第二電極層與所述第一電極層的一部分接觸。

(2)一種半導體激光元件，其特征在于，具備：

在表面形成有脊的半導體層疊體；

在所述脊上與所述半導體層疊體接觸配置的沿長度方向延伸的第一電極層；

將該第一電極層的一部分覆蓋的電流注入阻止層；

配置在所述電流注入阻止層上的第二電極層，

所述電流注入阻止層在俯視時具有從所述第一電極層的沿所述長度方向延長的兩緣向所述脊的中央區域延伸的突出部或配置在所述脊的中央區域上的島部，

所述第二電極層與所述第一電極層的局部接觸。

根據本發明，能夠提供一種半導體激光元件，能夠避免半導體激光元件的不通狀態，例如即使對上述的多個串聯連接實現的用途，也可有效地發揮作用。

附圖說明

圖1(a)是表示本發明的半導體激光元件的一實施方式的概略平面圖，圖1(b)是A－A’線剖面圖，圖1(c)是B－B’線剖面圖；