[發明專利]半導體激光元件

有效

• 申請號: 201510727015.2
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN105576500B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 平尾剛
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉曉迪

1.一種半導體激光元件，其特征在于，具備：

在表面形成有脊的半導體層疊體；

在所述脊上與所述半導體層疊體接觸配置的沿長度方向延伸的第一電極層；

將該第一電極層的一部分覆蓋的電流注入阻止層；

配置在所述電流注入阻止層上的第二電極層，

所述電流注入阻止層在俯視時具有從所述第一電極層的沿所述長度方向延長的兩緣向所述脊的中央區域延伸的突出部或配置在所述脊的中央區域上的島部，

所述第二電極層與所述第一電極層的局部接觸，

所述突出部在所述長度方向上斷續配置有多個。

2.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中，

所述電流注入阻止層由絕緣材料形成。

3.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中，

所述島部為單個，

所述島部的沿所述長度方向的長度為所述第一電極層的長度的70％～95％。

4.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中，

所述島部為多個，

所述島部的沿所述長度方向的長度總和為所述第一電極層的長度的30％～70％。

5.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中，

所述島部的寬度為所述第一電極層的寬度的40％～80％。

6.如權利要求3所述的半導體激光元件，其中，

所述島部的寬度為所述第一電極層的寬度的40％～80％。

7.如權利要求4所述的半導體激光元件，其中，

所述島部的寬度為所述第一電極層的寬度的40％～80％。

8.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中，

所述電流注入阻止層具有所述突出部及所述島部，

所述島部在所述第一電極層的一緣的所述突出部之間，在所述長度方向上斷續配置有多個。

9.如權利要求1～8中任一項所述的半導體激光元件，其中，

所述半導體層疊 體具有出射面及反射面，

所述第二電極層的緣比所述第一電極側的緣更靠所述出射面側及所述反射面側配置。