[發明專利]一種對軟介質基板進行刻蝕形成電路的方法

有效

• 申請號: 201510725402.2
• 申請日: 2015-10-29
• 公開（公告）號: CN105390440B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 曹乾濤;路波;王斌
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 朱玉建

1.一種對軟介質基板進行刻蝕形成電路的方法，其特征在于，包括如下步驟：

s1提供一軟介質基板，該軟介質基板表面由內向外依次覆蓋有銅導體層和金導體層，在金導體層上形成抗蝕劑圖形；

s2使用碘-碘化鉀溶液刻蝕金導體層，直至刻蝕到金導體層與銅導體層界面為止；

s3使用碘化鉀水溶液對金導體層與銅導體層界面浸泡處理；

s4使用碘-碘化鉀溶液和碘化鉀水溶液對金導體層與銅導體層界面進行交替處理，直至軟介質基板上抗蝕劑未保護區域表面銅導體層全部露出為止；

s5刻蝕銅導體層，去除抗蝕劑；

其中，所述軟介質基板為聚四氟乙烯基板。

2.根據權利要求1所述的一種對軟介質基板進行刻蝕形成電路的方法，其特征在于，抗蝕劑為紫外敏感正性光刻膠或負性光刻膠。

3.根據權利要求2所述的一種對軟介質基板進行刻蝕形成電路的方法，其特征在于，涂覆光刻膠的方法包括旋轉涂覆法或噴霧式涂布法。

4.根據權利要求1所述的一種對軟介質基板進行刻蝕形成電路的方法，其特征在于，碘化鉀水溶液的濃度為：37.5％～60％。

5.根據權利要求4所述的一種對軟介質基板進行刻蝕形成電路的方法，其特征在于，步驟s3中，使用碘化鉀水溶液對金導體層與銅導體層界面浸泡處理的時間為1～2分鐘。