[發(fā)明專利]一種對(duì)軟介質(zhì)基板進(jìn)行刻蝕形成電路的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510725402.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105390440B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹乾濤;路波;王斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768 |
| 代理公司: | 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205 | 代理人: | 朱玉建 |
| 地址: | 266555 山東省*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 銅導(dǎo)體層 導(dǎo)體層 軟介質(zhì) 基板 刻蝕 碘化鉀水溶液 碘化鉀溶液 電路 抗蝕劑 銅金 抗蝕劑圖形 難溶沉淀物 保護(hù)區(qū)域 方法使用 基板表面 交替處理 由內(nèi)向外 電極層 界面處 刻蝕金 有效地 去除 浸泡 溶解 腐蝕 精細(xì) 覆蓋 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于軟介質(zhì)電路的刻蝕方法,其包括步驟:s1提供一軟介質(zhì)基板,該軟介質(zhì)基板表面由內(nèi)向外依次覆蓋有銅導(dǎo)體層和金導(dǎo)體層,在金導(dǎo)體層上形成抗蝕劑圖形;s2使用碘?碘化鉀溶液刻蝕金導(dǎo)體層,直至刻蝕到金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面為止;s3使用碘化鉀水溶液對(duì)金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面浸泡處理;s4使用碘?碘化鉀溶液和碘化鉀水溶液對(duì)金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面進(jìn)行交替處理,直至軟介質(zhì)基板上抗蝕劑未保護(hù)區(qū)域表面銅導(dǎo)體層全部露出為止;s5刻蝕銅導(dǎo)體層,去除抗蝕劑。本發(fā)明方法使用碘化鉀水溶液可以快速有效地溶解碘?碘化鉀溶液腐蝕金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面處時(shí)生成的白色難溶沉淀物,高精度精細(xì)地處理軟介質(zhì)基板上的銅金電路和銅金電極層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微波毫米波集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種對(duì)軟介質(zhì)基板進(jìn)行刻蝕形成電路的方法。
背景技術(shù)
在微波毫米波高頻電路應(yīng)用的材料中,軟介質(zhì)聚四氟乙烯及其復(fù)合基材由于具有極低的介電常數(shù)、很小的介質(zhì)損耗和很低的吸濕率,使得它在超高頻、超寬帶(2~10個(gè)倍頻程)的微波和毫米波電路中廣泛應(yīng)用,這就要求該種電路需具備更加完美的平面電路圖形和高可靠的表面鍍層,不僅能制造出更精細(xì)的線寬/線間距、更平整的焊盤(pán),而且要求最后的表面鍍層必須滿足金絲鍵合、錫焊、芯片粘貼等裝配要求。
針對(duì)微波毫米波集成電路中圖形中孤立帶線較多的特點(diǎn),一種實(shí)用可行的制作方法是先在聚四氟乙烯覆銅層表面電鍍金層,然后采用接近或接觸曝光刻蝕(包括旋涂光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕和去膠等步驟)的方法制備電路圖形。
濕法刻蝕是一種成本低、刻蝕速率快的薄膜圖形化方法。濕法刻蝕方面,研究人員一般使用碘-碘化鉀水溶液刻蝕金層,但當(dāng)使用碘-碘化鉀溶液腐蝕金層到中間的金、銅界面處時(shí),生成的一種白色難溶沉淀物粘附于表面,該沉淀幾乎不溶于水,即使在鹽酸的長(zhǎng)達(dá)數(shù)小時(shí)浸泡下溶解性也很小,發(fā)生部分起皮脫落沉于燒杯等容器底部,以白色粉狀存在。使用脫脂棉球的擦洗解決沉淀殘留附著于銅層上面的問(wèn)題同樣有限,造成金層的刻蝕不完全,同時(shí)給接下來(lái)銅層的刻蝕帶來(lái)嚴(yán)重困難,勢(shì)必靠增加金層、銅層的刻蝕時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)電路圖形制作。而抗蝕劑未掩膜保護(hù)區(qū)域金層和銅層濕法刻蝕時(shí)間的延長(zhǎng),加劇了抗蝕劑掩膜保護(hù)區(qū)域帶線上金層、銅層的側(cè)面腐蝕量,增加了電路圖形上缺陷的數(shù)量,更是無(wú)法在軟介質(zhì)聚四氟乙烯基材上獲得高精度精細(xì)的銅金電路和銅金電極層。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種對(duì)軟介質(zhì)基板進(jìn)行刻蝕形成電路的方法,其采用如下技術(shù)方案:
一種對(duì)軟介質(zhì)基板進(jìn)行刻蝕形成電路的方法,包括如下步驟:
s1提供一軟介質(zhì)基板,該軟介質(zhì)基板表面由內(nèi)向外依次覆蓋有銅導(dǎo)體層和金導(dǎo)體層,在金導(dǎo)體層上形成抗蝕劑圖形;
s2使用碘-碘化鉀溶液刻蝕金導(dǎo)體層,直至刻蝕到金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面為止;
s3使用碘化鉀水溶液對(duì)金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面浸泡處理;
s4使用碘-碘化鉀溶液和碘化鉀水溶液對(duì)金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面進(jìn)行交替處理,直至軟介質(zhì)基板上抗蝕劑未保護(hù)區(qū)域表面銅導(dǎo)體層全部露出為止;
s5刻蝕銅導(dǎo)體層,去除抗蝕劑。
優(yōu)選地,軟介質(zhì)基板的材質(zhì)為聚四氟乙烯RT/duroid 5880或5870。
優(yōu)選地,抗蝕劑為紫外敏感正性光刻膠或負(fù)性光刻膠。
優(yōu)選地,涂覆光刻膠的方法包括旋轉(zhuǎn)涂覆法或噴霧式涂布法。
優(yōu)選地,碘化鉀水溶液碘化鉀水溶液的濃度為:37.5%~60%。
優(yōu)選地,在步驟s3中,使用碘化鉀水溶液對(duì)金導(dǎo)體層與銅導(dǎo)體層界面浸泡處理的時(shí)間為1~2分鐘。
本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





