[發(fā)明專利]厚銅電路板的蝕刻方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510724164.3 | 申請日: | 2015-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN105407645B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱占植;蔡志浩;邵勇;陳家剛 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市五株科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/06 | 分類號: | H05K3/06 |
| 代理公司: | 深圳市中原力和專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44289 | 代理人: | 謝芝柏 |
| 地址: | 518035 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路板 蝕刻 方法 | ||
1.一種厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,包括如下步驟:
褪膜:提供褪膜工位和待蝕刻的厚銅電路板,所述厚銅電路板包括頂層銅層和底層銅層,所述厚銅電路板通過所述褪膜工位對所述頂層銅層和所述底層銅層進(jìn)行褪膜;
第一次蝕刻:提供蝕刻工位,所述厚銅電路板通過所述蝕刻工位對褪膜后的所述頂層銅層和所述底層銅層同時進(jìn)行蝕刻,完成第一次蝕刻;
翻轉(zhuǎn):提供翻轉(zhuǎn)裝置,所述翻轉(zhuǎn)裝置將完成第一次蝕刻后的所述厚銅電路板進(jìn)行180°翻轉(zhuǎn);
回傳:提供回傳裝置,所述回傳裝置將翻轉(zhuǎn)后的所述厚銅電路板傳送至所述蝕刻工位的入口;
第二次蝕刻:所述蝕刻工位對翻轉(zhuǎn)后的所述厚銅電路板的頂層銅層及底層銅層進(jìn)行第二次蝕刻,完成所述厚銅電路板的蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述第一次蝕刻和所述第二次蝕刻中蝕刻速度均為2.1-2.5m/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述第一次蝕刻和所述第二次蝕刻中蝕刻溫度為40-45℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述蝕刻工位包括若干用于噴淋蝕刻液的噴頭,所述噴頭與所述厚銅電路板間隔設(shè)置,并分布于所述厚銅電路板的上方和下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述噴頭在蝕刻過程中持續(xù)擺動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述第一次蝕刻和所述第二次蝕刻中的噴淋壓力為0.75-0.85kg/m3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述厚銅電路板的每面銅箔厚度為2OZ以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚銅電路板的蝕刻方法,其特征在于,所述厚銅電路板在傳送過程中采用聚四氟乙烯材料作為傳送支撐物。
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