[發(fā)明專利]太陽能晶硅電池返工片處理工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510720547.3 | 申請日: | 2015-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN105304756B | 公開(公告)日: | 2017-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉源;蔡先武;劉賢金;劉文峰;周小榮 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周長清,黃麗 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能 電池 返工 處理 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽能電池加工領(lǐng)域,涉及一種太陽能晶硅電池返工片處理工藝。
背景技術(shù)
太陽能電池制造過程中,由于手指印、臟污、油斑、小白點、色差等外觀問題,經(jīng)常會導(dǎo)致大量外觀不良硅片的產(chǎn)生。這些外觀不良的硅片如果下傳至絲網(wǎng)印刷工序,絲網(wǎng)印刷后就會被降級為B類電池片,影響電池生產(chǎn)線的A類片出貨率,同時B類電池片的售價很低,也會導(dǎo)致生產(chǎn)成本的大幅上升。
因此,對于以上這些外觀不良的半成品硅片,通常會歸類統(tǒng)稱為返工片,并進行返工處理。目前國內(nèi)大多數(shù)廠家,采用的返工處理方式均為制絨尾液返工處理。這種處理方式的原理是利用HNO3和HF混合溶液對硅片表面進行化學(xué)腐蝕,從而去除硅片表面的外觀臟污。但是這種處理方式,會帶來比較嚴(yán)重的硅片晶格發(fā)亮問題(也就是行業(yè)內(nèi)俗稱的花晶)。每次返工片經(jīng)制絨尾液處理后,均會有接近50%被劃分為花晶類,這部分花晶返工片不僅外觀與未經(jīng)返工的A類電池片差異很大,所制備的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率與A類電池片相比也低很多,差異達0.15%,只能降價銷售,對太陽能電池片的制造成本有較大的不良影響。
鑒于以上原因,開發(fā)一種新的返工片處理方式,避免返工片帶來的花晶問題,提高返工片制備的太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,是目前太陽能電池片生產(chǎn)過程中一項極為迫切的實際需求,這對于進一步降低太陽能電池的生產(chǎn)成本也有著重要作用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種降低返工片處理不良比例、避免傳統(tǒng)制絨返工處理產(chǎn)生的花晶和暗紋問題、工藝簡單、處理靈活的太陽能晶硅電池返工片處理工藝。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種太陽能晶硅電池返工片處理工藝,包括以下步驟:
(1)對所述太陽能晶硅電池返工片進行氧化處理;
(2)將步驟(1)氧化處理后的返工片放入清洗液中清洗,以去除步驟(1)氧化過程中產(chǎn)生的氧化物。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述太陽能晶硅電池返工片包括清洗不凈返工片、鍍膜失敗片、折射率超標(biāo)返工片、膜厚超標(biāo)返工片和方阻異常返工片中的一種或多種。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述步驟(1)中,所述氧化處理在擴散爐管中進行,所述氧化處理的溫度為750℃~830℃,通入氧氣流量為3000 ml/min~6000 ml/min,氧化時間為15min~30min。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述步驟(2)中,所述清洗包括手工清洗和自動清洗。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述手工清洗的清洗液包括HF溶液。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述HF溶液中,HF的質(zhì)量濃度為5%~10%,清洗時間為2min~6min。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述自動清洗的清洗液包括HF溶液,所述HF溶液中,HF的質(zhì)量濃度為5%~10%。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,在所述步驟(1)之前,還包括氧化前清洗。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,所述氧化前清洗采用的清洗劑為HF和HCl的混合溶液,HF的質(zhì)量濃度為8%~12%,HCl的質(zhì)量濃度為4%~6%,清洗時間為2min~6min。
上述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,優(yōu)選的,在所述步驟(2)之后,還包括甩干。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:
1、本發(fā)明的太陽能晶硅電池返工片處理工藝,是一種全新的太陽能電池返工處理方案,通過對太陽能電池制造過程中產(chǎn)生的返工片進行高溫氧化處理,利用高溫氧化過程中SiO2層的快速生長特性,將硅片的臟污表層或雜質(zhì)表層氧化,并與后續(xù)清洗相結(jié)合,可去除返工片表面大部分的臟污,同時基本不影響硅片原有的表面形貌。
2、適宜采用本發(fā)明處理的返工片包括清洗不凈返工片、鍍膜失敗片、折射率超標(biāo)返工片、膜厚超標(biāo)返工片或方阻異常返工片等,這些類型的返工片在太陽能電池制造過程中產(chǎn)生的返工片總量中所占比例達60%-75%。批量實驗結(jié)果顯示,采用本發(fā)明的工藝處理這些類型的返工片后,可以大幅降低返工片返工過程中產(chǎn)生的不良片比例,避免了返制絨工藝所帶來的花晶和暗紋等問題。最終返工片的不良比例可以控制在5%以內(nèi)(較返制絨工藝50%的不良比例大幅改善)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





