[發明專利]太陽能晶硅電池返工片處理工藝

有效

• 申請號: 201510720547.3
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN105304756B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 劉源;蔡先武;劉賢金;劉文峰;周小榮
• 申請（專利權）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008
• 代理人: 周長清,黃麗

1.一種太陽能晶硅電池返工片處理工藝，包括以下步驟：

（1）對所述太陽能晶硅電池返工片進行氧化處理；

（2）將步驟（1）氧化處理后的返工片放入清洗液中清洗，以去除步驟（1）氧化過程中產生的氧化物；

所述太陽能晶硅電池返工片為清洗不凈返工片、鍍膜失敗片、折射率超標返工片、膜厚超標返工片和方阻異常返工片中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，所述步驟（1）中，所述氧化處理在擴散爐管中進行，所述氧化處理的溫度為750℃～830℃，通入氧氣流量為3000 ml/min～6000 ml/min，氧化時間為15min～30min。

3.根據權利要求1所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，所述步驟（2）中，所述清洗包括手工清洗和自動清洗。

4.根據權利要求3所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，所述手工清洗的清洗液包括HF溶液。

5.根據權利要求4所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，所述HF溶液中，HF的質量濃度為5%～10%，清洗時間為2min～6min。

6.根據權利要求3所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，所述自動清洗的清洗液包括HF溶液，所述HF溶液中，HF的質量濃度為5%～10%。

7.根據權利要求1所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，在所述步驟（1）之前，還包括氧化前清洗。

8.根據權利要求4所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，所述氧化前清洗采用的清洗劑為HF和HCl的混合溶液，HF的質量濃度為8%～12%，HCl的質量濃度為4%～6%，清洗時間為2min～6min。

9.根據權利要求1所述的太陽能晶硅電池返工片處理工藝，其特征在于，在所述步驟（2）之后，還包括甩干。