[發(fā)明專利]一種管式POCl3擴散方阻自動調整方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510718906.1 | 申請日: | 2015-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN105428226A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 姚劍;韓曉輝;王廣為;邱江南;翟穎晗 | 申請(專利權)人: | 晉能清潔能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/228 | 分類號: | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司: | 鎮(zhèn)江京科專利商標代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲華 |
| 地址: | 033000 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pocl sub 擴散 自動 調整 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的制作方法,具體地說是一種管式POCl3擴散方阻自動調整方法。
背景技術
目前,在晶體硅太陽電池制造行業(yè),P型襯底晶硅太陽能電池擴散制備pn結主要采用管式液態(tài)磷源高溫擴散方式;一般通過調整爐管溫度或攜帶磷源的小氮流量來調控小范圍內的擴散方阻波動。爐管溫度調整的常見方法是在連續(xù)數管內,保持沉積步溫度不變,待方阻波動至一定范圍后,對沉積步溫度進行調整,然后再連續(xù)生產數管,以此反復;另一種方法則基于實際測量的方阻與目標方阻的差異,基于既有經驗,通過小氮流量設定變化來調整擴散方阻。盡管這些方法在一定程度上起到了擴散方阻的穩(wěn)定工作,但受限于爐管自身差異、磷源源瓶液位高度的持續(xù)變化,這些方法均具有很大的局限性。同時,受限于工程師能力差異,上述調節(jié)方法本身更具有很大的風險性。
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種能夠實現連續(xù)生產過程擴散方阻的自動調節(jié)的管式POCl3擴散方阻自動調整方法。
為了解決上述技術問題,本發(fā)明的管式POCl3擴散方阻自動調整方法,包括液態(tài)磷源擴散設備、自動上下料機器以及與液態(tài)磷源擴散設備、自動上下料機器連接的計算機,各個液態(tài)磷源擴散設備具有與之對應的通過軟件程序自動生成的DLV文件,計算機內存儲上述DLV文件并能夠對各個液態(tài)磷源擴散設備對應溫區(qū)的方阻值進行計算處理,計算時各個溫區(qū)分開獨立計算,對應公式如下:
CTEMPm=(A(R)m-Rtarget)×Kcorr+CTEMP+TEMde
其中A(R)m代表連續(xù)生產n舟的對應溫區(qū)的方阻均值,Ri為第i舟對應溫區(qū)的方阻計算值,CTEMPm為第m次的自動調整溫度值,Rtarget為預設目標方阻值,Kcorr為與磷源液位高度相關的第m次溫度調整的溫度修正系數,CTEMP為爐管初始設定沉積溫度,TEMde為爐管不同溫區(qū)的沉積溫度補償值;
在生產過程中,液態(tài)磷源擴散設備自動調用并讀取DLV文件的相關參數,通過對DLV參數的調用,自動對液態(tài)磷源擴散設備內不同溫區(qū)的擴散溫度進行調整。
所述計算機還與一個方阻測試設備連接,所述方阻測試設備能夠對方阻值進行測試。
所述液態(tài)磷源擴散設備為管式擴散爐。
采用上述的方法后,由于各個液態(tài)磷源擴散設備具有與之對應的通過軟件程序自動生成的DLV文件,計算機內存儲上述DLV文件并能夠對各個液態(tài)磷源擴散設備對應溫區(qū)的方阻值進行計算處理,由此建立的數據鏈接變量文件DLV,在生產過程中,通過DLV文件的自動調用,實現連續(xù)生產過程擴散方阻的自動調節(jié);除能夠實現穩(wěn)定、均勻的爐管擴散方阻外,基于各個爐管單獨存儲的DLV文件,能夠詳細保存計算獲得的各管不同溫區(qū)的擴散沉積溫度;基于上述溫度匯總數據,可以方便快捷地對比出不同爐管的沉積溫度差異,進而更有效地實現擴散工段的整體優(yōu)化。
具體實施方式
下面結合具體實施方式,對本發(fā)明的POCl3擴散方阻自動調整方法作進一步詳細說明。
本發(fā)明的POCl3擴散方阻自動調整方法,包括液態(tài)磷源擴散設備、自動上下料機器、方阻測試設備以及與液態(tài)磷源擴散設備、自動上下料機、方阻測試設備連接的計算機,液態(tài)磷源擴散設備優(yōu)選為管式擴散爐,自動上下料機優(yōu)選為羅伯特科自動上下料設備,方阻測試設備優(yōu)選為Semilab方阻自動檢測(測試光電壓)設備,針對各個液態(tài)磷源擴散設備具有通過軟件程序自動生成的DLV文件,計算機內存儲上述DLV文件并能夠對各個液態(tài)磷源擴散設備對應溫區(qū)的方阻值進行計算處理,公式如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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