[發明專利]一種Mo?Si?B金屬間化合物棒材及其制備方法

有效

• 申請號: 201510712534.1
• 申請日: 2015-10-28
• 公開（公告）號: CN105220051B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 喻吉良;張如;鄭欣;李來平;張文;裴雅;王峰;蔡小梅;郭林江;劉輝
• 申請（專利權）人: 西北有色金屬研究院
• 主分類號: C22C27/04
• 分類號: C22C27/04;C22C1/02;C22C1/05
• 代理公司: 西安創知專利事務所61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種Mo-Si-B金屬間化合物棒材，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：硅10％～20％，硼20％～40％，余量為鉬和不可避免的雜質。

2.按照權利要求1所述的一種Mo-Si-B金屬間化合物棒材，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：硅13％～17％，硼25％～35％，余量為鉬和不可避免的雜質。

3.按照權利要求2所述的一種Mo-Si-B金屬間化合物棒材，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：硅15％，硼30％，余量為鉬和不可避免的雜質。

4.一種制備如權利要求1～3中任一權利要求所述Mo-Si-B金屬間化合物棒材的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將硅粉、硼粉和鉬粉置于球磨機中，以無水乙醇為分散劑，在轉速為420rpm～580rpm、球料比為(10～20):1的條件下球磨28h～42h，球磨后在真空條件下烘干，得到混合粉末；所述無水乙醇的體積為硅粉、硼粉和鉬粉質量之和的0.5～1倍，其中體積的單位為mL，質量的單位為g；

步驟二、將步驟一中所述混合粉末壓制成型，得到坯料，然后將所述坯料置于燒結爐中，在真空度小于5×10^-3Pa的條件下進行燒結處理，隨爐冷卻后得到Mo-Si-B金屬間化合物燒結體；所述燒結處理的溫度為1800℃～2000℃，時間為2h～3h；

步驟三、將步驟二中所述Mo-Si-B金屬間化合物燒結體置于電子束熔煉爐中，在真空度小于5×10^-4Pa的條件下電子束熔煉3～6次，冷卻后得到Mo-Si-B金屬間化合物鑄錠，然后將所述Mo-Si-B金屬間化合物鑄錠切割加工成半成品棒材；所述電子束熔煉的熔煉電流為1A～1.2A，熔煉電壓為40kV～60kV；

步驟四、對步驟三中所述半成品棒材進行打磨去除表面氧化皮，打磨后將所述半成品棒材在真空度小于2×10^-5Pa的條件下進行電子束區域熔煉，冷卻后得到Mo-Si-B金屬間化合物棒材；所述電子束區域熔煉的熔煉電流為0.8A～1A，熔煉電壓為30kV～50kV。

5.按照權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟一中所述硅粉的質量純度不小于99％，所述硼粉的質量純度不小于99％，所述鉬粉的質量純度不小于99％。

6.按照權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟二中所述燒結處理的溫度為1850℃～1950℃，時間為2.2h～2.8h。

7.按照權利要求6所述的方法，其特征在于，所述燒結處理的溫度為1900℃，時間為2.5h。

8.按照權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟一中所述烘干的溫度為90℃～100℃。