[發明專利]半導體封裝

有效

• 申請號: 201510711123.0
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN105261573B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 林子閎;黃清流;童耿直
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 白華勝;戈曉美

1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

基板；

多個第一導線，設置于所述基板上；

半導體芯片，設置于所述多個第一導線的上方；以及

阻焊層，所述阻焊層的多個條體自所述半導體芯片的外邊緣的外部分別沿所述多個第一導線延伸，延伸至所述半導體芯片的底面的下方且覆蓋所述多個第一導線的一部分，所述阻焊層的所述多個條體分別與其覆蓋的所述第一導線的一部分兩者共同具有T形剖面，所述阻焊層除所述多個條體之外的部分設置在所述半導體芯片的外邊緣外部且與所述半導體芯片相距相同的距離，以暴露出所述基板和所述半導體芯片之間的重疊區域。

2.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，當從俯視角度觀看時，所述阻焊層的所述多個條體的寬度分別大于所述多個第一導線的所述一部分的寬度。

3.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述多個條體分別具有垂直側壁，所述垂直側壁凸出于被其覆蓋的所述多個第一導線的所述一部分的側壁。

4.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

覆晶填充材料，填充所述基板和所述半導體芯片之間的空隙。

5.如權利要求4所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述多個條體被所述覆晶填充材料所覆蓋。

6.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述基板由雙馬來酰亞胺-三氮雜苯樹脂、聚酰亞胺或ABF絕緣膜形成。

7.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

基板；

多個第一導線，設置于所述基板上；

多個第二導線，設置于所述基板上；

半導體芯片，設置于所述多個第一導線和所述多個第二導線的上方；

阻焊層，所述阻焊層的多個條體自所述半導體芯片的外邊緣的外部分別沿所述多個第一導線延伸，延伸至所述半導體芯片的底面的下方且覆蓋所述多個第一導線的一部分，所述阻焊層除所述多個條體之外的部分設置在所述半導體芯片的外邊緣外部且與所述半導體芯片相距相同的距離，以暴露出所述基板和所述半導體芯片之間的重疊區域。

8.如權利要求7所述的半導體封裝，其特征在于，當從俯視角度觀看時，所述阻焊層的所述多個條體的寬度分別大于所述多個第一導線的所述一部分的寬度。

9.如權利要求7所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：覆晶填充材料，填充所述基板和所述半導體芯片之間的間隙。

10.如權利要求9所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述多個條體被所述覆晶填充材料所覆蓋。

11.如權利要求7所述的半導體封裝，其特征在于，所述半導體芯片的導電凸塊和所述第二導線的一部分通過它們之間的導電柱狀物相連。

12.如權利要求7所述的半導體封裝，其特征在于，所述基板由雙馬來酰亞胺-三氮雜苯樹脂、聚酰亞胺或ABF絕緣膜形成。