[發明專利]透明顯示基板和透明顯示設備有效
| 申請號: | 201510697828.1 | 申請日: | 2015-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN105575997B | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 鄭丞淏;崔千基;尹泳植;全珠姬;趙正然 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 顯示 設備 | ||
本申請提供一種透明顯示基板和透明顯示設備。該基板包括:包括像素區域和透射區域的基底基板;位于基底基板的像素區域上的像素電路;位于基底基板上覆蓋像素電路的絕緣層;被選擇性地設置在基底基板的像素區域上的像素電極,像素電極至少部分地穿過絕緣層電連接至像素電路;以及被選擇性地設置在基底基板的透射區域上的透射層結構,透射層結構至少包括無機材料,無機材料基本上由氮氧化硅組成。
技術領域
實施例涉及透明顯示基板和透明顯示設備。
背景技術
最近,已經考慮例如具有透明或透射特性的有機發光顯示器(OLED)設備的顯示設備。
發明內容
各實施例涉及透明顯示基板、透明顯示設備和制造透明顯示設備的方法。
實施例可以通過提供一種透明顯示基板來實現,該透明顯示基板包括:包括像素區域和透射區域的基底基板;位于基底基板的像素區域上的像素電路;位于基底基板上覆蓋像素電路的絕緣層;被選擇性地設置在基底基板的像素區域上的像素電極,像素電極至少部分地穿過絕緣層電連接至像素電路;以及被選擇性地設置在基底基板的透射區域上的透射層結構,透射層結構至少包括無機材料,無機材料基本上由氮氧化硅組成。
透明顯示基板可以進一步包括位于基底基板與像素電路之間的阻擋層。
透明顯示基板可以進一步包括位于阻擋層與像素電路之間的緩沖層。
阻擋層和緩沖層可以基本上由氮氧化硅組成。
透射層結構可以包括阻擋層和緩沖層的形成在透射區域上的部分。
阻擋層和緩沖層的包括在透射層結構中的部分可以彼此合并,使得透射層結構具有單層結構。
絕緣層可以被選擇性地設置在像素區域上,并且不在透射區域上延伸。
像素電路可以包括被堆疊在阻擋層上的有源圖案、柵電極、源電極和漏電極,絕緣層可以包括:位于阻擋層上覆蓋有源圖案的柵絕緣層;位于柵絕緣層上覆蓋柵電極的絕緣夾層;以及位于絕緣夾層上覆蓋源電極和漏電極的過孔絕緣層,源電極和漏電極可以延伸穿過絕緣夾層和柵絕緣層,以與有源圖案接觸,并且像素電極可以位于過孔絕緣層上,且可以延伸穿過過孔絕緣層,以與漏電極接觸。
過孔絕緣層可以包括有機材料,并且被選擇性地設置在像素區域上。
柵絕緣層和絕緣夾層可以基本上由氮氧化硅組成。
柵絕緣層和絕緣夾層可以共同地且連續地在像素區域和透射區域上延伸。透射層結構可以包括阻擋層、柵絕緣層和絕緣夾層的形成在透射區域上的部分。
包括在透射層結構中的各層可以彼此合并,以具有單層結構。
透明顯示基板可以進一步包括位于阻擋層與柵絕緣層之間的緩沖層,其中阻擋層和緩沖層基本上由氮氧化硅組成。
阻擋層、緩沖層、柵絕緣層和絕緣夾層中的至少一個可以包括氮氧化硅,并可以包括氧和氮的相對垂直的濃度梯度。
緩沖層在與阻擋層的界面處可以更富含氮,并且在與柵絕緣層的界面處可以更富含氧。
柵絕緣層在與緩沖層的界面處可以更富含氧,并且在與絕緣夾層的界面處可以更富含氮。
透明顯示基板可以進一步包括位于基底基板與像素電路之間的緩沖層。緩沖層可以基本上由氮氧化硅組成。透射層結構可以包括緩沖層的形成在透射區域上的部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





