[發(fā)明專利]透明顯示基板和透明顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510697828.1
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN105575997B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭丞淏;崔千基;尹泳植;全珠姬;趙正然
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 郭艷芳;康泉

1.一種透明顯示基板，包括：

基底基板，包括像素區(qū)域和透射區(qū)域；

像素電路，位于所述基底基板的所述像素區(qū)域上；

絕緣層，位于所述基底基板上用于覆蓋所述像素電路；

像素電極，被選擇性地設(shè)置在所述基底基板的所述像素區(qū)域上，所述像素電極至少部分地穿過所述絕緣層電連接至所述像素電路；

透射層結(jié)構(gòu)，被選擇性地設(shè)置在所述基底基板的所述透射區(qū)域上，所述透射層結(jié)構(gòu)至少包括無機材料，所述無機材料由氮氧化硅組成；以及

沉積控制層，在所述透射區(qū)域中的所述透射層結(jié)構(gòu)上，而不在所述像素區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示基板，進一步包括位于所述基底基板與所述像素電路之間的阻擋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明顯示基板，進一步包括位于所述阻擋層與所述像素電路之間的緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透明顯示基板，其中所述阻擋層和所述緩沖層由氮氧化硅組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明顯示基板，其中所述透射層結(jié)構(gòu)包括所述阻擋層和所述緩沖層的形成在所述透射區(qū)域上的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明顯示基板，其中所述阻擋層和所述緩沖層的包括在所述透射層結(jié)構(gòu)中的所述部分彼此合并，使得所述透射層結(jié)構(gòu)具有單層結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明顯示基板，其中所述絕緣層被選擇性地設(shè)置在所述像素區(qū)域上，并且不在所述透射區(qū)域上延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明顯示基板，其中：

所述像素電路包括被堆疊在所述阻擋層上的有源圖案、柵電極、源電極和漏電極，

所述絕緣層包括：

位于所述阻擋層上用于覆蓋所述有源圖案的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上用于覆蓋所述柵電極的絕緣夾層；以及

位于所述絕緣夾層上用于覆蓋所述源電極和所述漏電極的過孔絕緣層，

所述源電極和所述漏電極延伸穿過所述絕緣夾層和所述柵絕緣層，以與所述有源圖案接觸，并且

所述像素電極位于所述過孔絕緣層上，并延伸穿過所述過孔絕緣層，以與所述漏電極接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明顯示基板，其中所述過孔絕緣層包括有機材料，并且被選擇性地設(shè)置在所述像素區(qū)域上。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明顯示基板，其中所述柵絕緣層和所述絕緣夾層由氮氧化硅組成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的透明顯示基板，其中所述柵絕緣層和所述絕緣夾層共同地且連續(xù)地在所述像素區(qū)域和所述透射區(qū)域上延伸，

其中所述透射層結(jié)構(gòu)包括所述阻擋層、所述柵絕緣層和所述絕緣夾層的形成在所述透射區(qū)域上的部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的透明顯示基板，其中包括在所述透射層結(jié)構(gòu)中的各層彼此合并，以具有單層結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明顯示基板，進一步包括位于所述阻擋層與所述柵絕緣層之間的緩沖層，其中所述阻擋層和所述緩沖層由氮氧化硅組成。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的透明顯示基板，其中所述阻擋層、所述緩沖層、所述柵絕緣層和所述絕緣夾層中的至少一個包括氮氧化硅，并包括氧和氮的相對垂直的濃度梯度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的透明顯示基板，其中所述緩沖層在與所述阻擋層的界面處更富含氮，并且在與所述柵絕緣層的界面處更富含氧。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的透明顯示基板，其中所述柵絕緣層在與所述緩沖層的界面處更富含氧，并且在與所述絕緣夾層的界面處更富含氮。