[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510690237.1
• 申請(qǐng)日: 2015-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105304647B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧可可;楊妮;余道平;劉信;茍中平;齊智堅(jiān);侯宇松;陳帥;李少茹;胡偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置。該陣列基板包括具有至少一個(gè)凹陷區(qū)域的透明導(dǎo)電層和位于所述透明導(dǎo)電層上的取向?qū)樱鲫嚵谢暹€包括填充于所述透明導(dǎo)電層的至少一個(gè)凹陷區(qū)域處的填充層。本發(fā)明實(shí)施例中，由于在透明導(dǎo)電層上的至少一個(gè)凹陷區(qū)域處有填充層，即凹陷區(qū)域處已被填充層所填充，這樣在凹陷區(qū)域中，填充層所填充的地方就無(wú)積蓄的取向?qū)?如PI液)，積蓄的取向?qū)泳蜏p少了，從而提高了陣列基板上的取向?qū)拥木鶆蛐浴?/p>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LCD，TFT-LCD)，包括扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型，邊緣場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)型，共面轉(zhuǎn)變模式(In Plane Switching，IPS)型等等，這些TFT-LCD的顯示屏中包括薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，TFT)陣列基板。TFT陣列基板上均存在很多連接孔，例如，像素電極與漏極之間的連接孔，公共電極與公共電極之間的連接孔，等等。其中，像素電極和公共電極通常為氧化銦錫導(dǎo)電膜(Indium Tin Oxide，ITO)層。如圖1所示，其中包括位于襯底基板10上的金屬層11(如漏極)，位于金屬層11上的氮化硅層12，位于金屬層11和氮化硅層12上的ITO層13(如像素電極)，在ITO層13上與金屬層11的連接處有凹陷，稱(chēng)為凹陷區(qū)域。TFT-LCD的制作過(guò)程中，需要在上述ITO層上涂布聚酰亞胺(Polyimide，PI)液，形成取向?qū)印５巧鲜霭枷輩^(qū)域的存在，會(huì)容易導(dǎo)致PI液大量積蓄在上述凹陷區(qū)域中，凹陷區(qū)域的PI液比凹陷區(qū)域之外的區(qū)域的PI液要厚的多，容易出現(xiàn)涂布、擴(kuò)散的PI液均勻性較差等問(wèn)題，并且上述凹陷區(qū)域越深，涂布、擴(kuò)散的PI液的均勻性越差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置，用于解決TFT陣列基板的ITO層上存在的凹陷區(qū)域容易導(dǎo)致涂布、擴(kuò)散的PI液均勻性較差，并且凹陷區(qū)域越深，涂布、擴(kuò)散的PI液均勻性越差的問(wèn)題

本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種陣列基板，所述陣列基板包括具有至少一個(gè)凹陷區(qū)域的透明導(dǎo)電層和位于所述透明導(dǎo)電層上的取向?qū)樱鲫嚵谢暹€包括填充于所述透明導(dǎo)電層的至少一個(gè)凹陷區(qū)域處的填充層。

較佳地，所述填充層的上表面與所述透明導(dǎo)電層除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面位于同一水平面。

較佳地，所述填充層的材料為光刻膠或者氮化硅。

較佳地，所述填充層的材料為正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠。

較佳地，所述透明導(dǎo)電層為像素電極或公共電極。

一種顯示裝置，包括以上任一所述的陣列基板。

一種如以上任一所述的陣列基板的制作方法，該方法包括：

在襯底基板上形成具有至少一個(gè)凹陷區(qū)域的透明導(dǎo)電層的圖形；

在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形；

在所述透明導(dǎo)電層的圖形和所述填充層的圖形上涂覆取向?qū)印?/p>

較佳地，所述在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括：

在所述透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠層；

對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，保留光刻膠層中與至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域以形成填充層的圖形。

較佳地，所述在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括：

在所述透明導(dǎo)電層上形成氮化硅層；

在所述氮化硅層上涂覆光刻膠層；