[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510690237.1
• 申請(qǐng)日: 2015-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105304647B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧可可;楊妮;余道平;劉信;茍中平;齊智堅(jiān);侯宇松;陳帥;李少茹;胡偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括具有至少一個(gè)凹陷區(qū)域的透明導(dǎo)電層和位于所述透明導(dǎo)電層上的取向?qū)樱鲫嚵谢暹€包括填充于所述透明導(dǎo)電層的至少一個(gè)凹陷區(qū)域處的填充層，其特征在于，該方法包括：

在襯底基板上形成具有至少一個(gè)凹陷區(qū)域的透明導(dǎo)電層的圖形；

在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形；

在所述透明導(dǎo)電層的圖形和所述填充層的圖形上涂覆取向?qū)樱?/p>

其中：

所述在襯底基板上形成具有至少一個(gè)凹陷區(qū)域的透明導(dǎo)電層的圖形，在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括：

在襯底基板上形成透明導(dǎo)電層；

在所述透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠層；

對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，在光刻膠層中與將要形成的所述透明導(dǎo)電層的圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成光刻膠部分保留區(qū)域，與至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域，與將要形成的所述透明導(dǎo)電層的圖形和至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域之外對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域；

對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電層刻蝕形成透明導(dǎo)電層的圖形；

對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行灰化處理，完全去除光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠層，同時(shí)部分去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層以形成填充層的圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括：

在所述透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠層；

對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，保留光刻膠層中與至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域以形成填充層的圖形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括：

在所述透明導(dǎo)電層上形成氮化硅層；

在所述氮化硅層上涂覆光刻膠層；

對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，在光刻膠層中與至少一個(gè)所述凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域；

對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行刻蝕，保留氮化硅層中與光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域以形成填充層的圖形；

對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行剝離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充層的上表面與所述透明導(dǎo)電層除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面位于同一水平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充層的材料為光刻膠或者氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述填充層的材料為正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為像素電極或公共電極。