[發明專利]復合式疊構高頻低介電性膠膜及其制造方法

在審

• 申請號: 201510675883.0
• 申請日: 2015-10-19
• 公開（公告）號: CN106604521A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 杜伯賢;李韋志;梅愛芹;林志銘
• 申請（專利權）人: 昆山雅森電子材料科技有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;B32B27/28;B32B27/06;B32B33/00
• 代理公司: 昆山四方專利事務所32212
• 代理人: 盛建德,周雅卿

1.一種復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：包括：

芯層，所述芯層具有相對的上、下表面；

極低介電膠層，所述極低介電膠層是指Dk值≤2.30(10GHz)且Df值≤0.002(10G Hz)的膠層，所述極低介電膠層具有兩層且分別為上極低介電膠層和下極低介電膠層，所述上極低介電膠層和下極低介電膠層分別形成于所述芯層的上、下表面；

接著性膠層，所述接著性膠層具有兩層且分別為上接著性膠層和下接著性膠層，所述上接著性膠層形成于所述上極低介電膠層的上表面，所述下接著性膠層形成于所述下極低介電膠層的下表面。

2.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：所述接著性膠層的Dk值≤2.75(10G Hz)且Df值≤0.005(10G Hz)。

3.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：所述極低介電膠層還具有下述基本特性：抗張強度≥147MPa、伸長率≥40％、彈性模數≥5.0GPa。

4.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：每層所述極低介電膠層的厚度為10-50μm。

5.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：每層所述接著性膠層的厚度為2-5μm。

6.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜， 其特征在于：所述芯層的厚度為5-25μm。

7.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：所述芯層、上極低介電膠層、下極低介電膠層、上接著性膠層和下接著性膠層五層的總厚度為29-135微米。

8.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：所述極低介電膠層及接著性膠層的材料各自為氟樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、硅橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來酰亞胺系樹脂和聚酰亞胺樹脂中的至少一種。

9.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：還包括離型層，所述離型層具有兩層且分別為上離型層和下離型層，所述上離型層形成于所述上接著性膠層的上表面，所述下離型層形成于所述下接著性膠層的下表面。

10.如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜，其特征在于：所述芯層為聚酰亞胺膜。

11.一種如權利要求1所述的復合式疊構高頻低介電性膠膜的制造方法，其特征在于：

步驟一、使用雙層涂布技術將所述上極低介電膠層和所述上接著性膠層涂布于所述芯層的一面，并予以烘干及壓合；

步驟二、在所述上接著性膠層的上表面壓合上離型層；

步驟三、使用雙層涂布技術將所述下極低介電膠層和所述下接著性膠層涂布于在芯層的另一面，并予以烘干及壓合；

步驟四、在所述下接著性膠層的下表面壓合下離型層。