[發明專利]有機發光二極管顯示面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201510670204.0 | 申請日: | 2015-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN105514143B | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 李東振;金哲弘;趙晟希;鄭容彬 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及有機發光二極管顯示面板及其制造方法。有機發光二極管(OLED)顯示面板包括設置在第一電極上的有機層和設置在有機層上的多層薄膜。多層薄膜由石墨烯的堆疊體形成。多層薄膜在其中的兩個或更多個上層之間具有層間鍵合。
相關申請的交叉引用
該申請要求2014年10月13日提交的韓國專利申請第10-2014-0137778號的優先權和權益,通過引用將其如在本文中完全闡述那樣并入本文以用于所有目的
技術領域
本公開涉及有機發光二極管(OLED)顯示面板及其制造方法。
背景技術
在平板顯示工業中,液晶顯示器(LCD)裝置由于其輕便且耗能較少而得到廣泛應用。然而,LCD裝置在亮度、對比度、視角、尺寸等方面能力有限,原因是其是自身不發光的非發光型裝置。
為了克服LCD裝置的這些問題,已經積極研發了新型平面顯示裝置。與LCD裝置相比,有機發光二極管(OLED)顯示裝置(一種新型平面顯示裝置)具有高亮度級、寬視角和高對比度的優點,原因是在OLED顯示裝置中使用了能夠自身發光的OLED。另外,OLED顯示裝置可以具有輕薄外形且耗能較低,原因是其不需要背光。
OLED顯示裝置的OLED顯示面板利用從連接至各像素區中的薄膜晶體管(TFT)的OLED發射的光來顯示圖像。OLED是這樣一種裝置,在該裝置中有機化合物形成陽極與陰極之間的有機發光層以在給該有機發光層施加有電場的情況下發射光。OLED具有許多優點,例如可在低電壓下操作、相對低的能耗、重量輕以及可在柔性基板上制造。
OLED分為頂部發光(或前發光)型和底部發光(或背發光)型。頂部發光型OLED對于陰極要求高水平的透光率和高的電導率。然而,使用透明材料用于陰極由于高的薄層電阻而對電導率性質具有不利效果;反之添加旨在提高電導率的金屬層卻減小了透光率。
保護OLED顯示裝置的內部裝置的保護層在其由單個層或薄膜形成的情況下不透性性質有限,因此不能有效地保護內部免受水分以及氧的影響。相反,在采用多層結構來改善保護層的透過性的情況下,成問題的是:透光率降低、工藝復雜化、工藝步驟的數量增加、以及從而制造成本增加。
另外,在OLED顯示裝置是柔性顯示裝置的情況下,在通過氣相沉積形成層的情況下難以確保層具有機械柔性。
發明內容
本發明的各方面在獨立權利要求中闡明。本發明的各實施方案提供了有機發光二極管(OLED)顯示面板及其制造方法、以及OLED顯示裝置,其具有優異的透光率、薄層電阻、電導率、機械柔性和可靠性,以及減少的工藝步驟數量和減少的工藝時間。
在一個實施方案中,提供了一種有機發光二極管顯示面板,其包括:設置在第一電極上的有機層;設置在有機層上的多層薄膜,多層薄膜由石墨烯的堆疊體形成。多層薄膜在其兩個或更多個上層之間具有層間鍵合。
在另一實施方案中,提供了一種制造有機發光二極管顯示面板的方法,其包括:在第一電極上形成有機層;在有機層上形成由石墨烯形成的多層薄膜;以及通過等離子體處理在多層薄膜的兩個或更多個上層之間形成層間鍵合,由此沒有層間鍵合的層形成第二電極,并且具有層間鍵合的所述兩個或更多個層形成封裝層。
如上所述,根據本公開的OLED顯示面板、制備該OLED顯示面板的方法以及OLED顯示裝置具有優異的透光率、薄層電阻、電導率、機械柔性以及可靠性性質,以及有益效果例如減少工藝步驟的數量以及減少工藝所需的時間。
附圖說明
根據結合附圖的如下詳細描述,本公開的以上目標、特征和優點以及其他目標、特征和優點將被更清楚地理解,其中:
圖1是示出應用實施方案的OLED顯示裝置的示意系統構造圖;
圖2是示出常規OLED顯示面板的示意截面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





