[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510670204.0 | 申請日: | 2015-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN105514143B | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李東振;金哲弘;趙晟希;鄭容彬 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,包括:
第一電極;
多層薄膜;以及
位于所述第一電極與所述多層薄膜之間的有機(jī)層,
其中所述多層薄膜包括多個(gè)第一石墨烯層和多個(gè)第二石墨烯層,并且
其中在所述多個(gè)第一石墨烯層之間存在層間鍵合,
其中所述多個(gè)第二石墨烯層之間沒有層間鍵合,
其中所述多個(gè)第二石墨烯層位于所述有機(jī)層與所述多個(gè)第一石墨烯層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述多個(gè)第一石墨烯層包括所述多層薄膜中的作為距所述有機(jī)層最遠(yuǎn)的石墨烯層的石墨烯層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述層間鍵合包括碳原子的sp3鍵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述層間鍵合包括碳原子的類金剛石結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中
所述多個(gè)第一石墨烯層中的石墨烯層通過共價(jià)鍵鍵合,并且
所述多個(gè)第二石墨烯層中的石墨烯層通過范德華力相互作用。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述多個(gè)第一石墨烯層的薄層電阻大于所述多個(gè)第二石墨烯層的薄層電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述多個(gè)第一石墨烯層的電導(dǎo)率小于所述多個(gè)第二石墨烯層的電導(dǎo)率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述多個(gè)第一石墨烯層的層間距離小于所述多個(gè)第二石墨烯層的層間距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中所述多個(gè)第一石墨烯層的水分透過率小于所述多個(gè)第二石墨烯層的水分透過率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板,其中從所述有機(jī)層發(fā)射的光沿朝向所述多層薄膜的方向輻射。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的方法,所述方法包括:
形成第一電極;
形成多層薄膜;
形成有機(jī)層;
將所述有機(jī)層置于所述第一電極與所述多層薄膜之間,
其中所述多層薄膜包括多個(gè)第一石墨烯層和多個(gè)第二石墨烯層;以及
在所述多個(gè)第一石墨烯層之間形成層間鍵合,
其中所述多個(gè)第二石墨烯層之間沒有層間鍵合,
其中所述多個(gè)第二石墨烯層位于所述有機(jī)層與所述多個(gè)第一石墨烯層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述形成層間鍵合包括使用等離子體處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中在所述等離子體處理中的等離子體包括氫等離子體。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述形成多層薄膜包括根據(jù)選自透光率、薄層電阻、電導(dǎo)率和水分透過率中的至少之一的設(shè)計(jì)值來確定所述多層薄膜中的石墨烯層的數(shù)目。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述形成多層薄膜包括在催化劑金屬層上生長石墨烯的多層薄膜以及隨后將所述多層薄膜轉(zhuǎn)移至所述有機(jī)層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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