[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510660959.2
• 申請(qǐng)日: 2015-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN105182598A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高錦成;曹占鋒;張鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1335
• 分類號(hào): G02F1/1335;G02F1/1343
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示裝置包括多個(gè)透光區(qū)，以及圍繞每個(gè)透光區(qū)的遮光區(qū)，其中，遮光區(qū)上包括黑矩陣，該黑矩陣可防止從背光源出射的光從遮光區(qū)泄漏，以保證透光區(qū)正常顯示畫面。

然而，本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，黑矩陣僅可用于防止從背光源出射的光從遮光區(qū)泄漏，而沒有其他作用，這就使得遮光區(qū)無(wú)法得到有效利用。并且，隨著顯示裝置分辨率逐漸增加，遮光區(qū)的面積也在逐漸增加，因而亟需尋求方法以有效利用遮光區(qū)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以有效利用遮光區(qū)。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種陣列基板，包括多個(gè)透光區(qū)，以及圍繞每個(gè)所述透光區(qū)的遮光區(qū)，所述遮光區(qū)上包括依次層疊設(shè)置的第一電極、光電轉(zhuǎn)換薄膜和第二電極，所述第一電極、所述光電轉(zhuǎn)換薄膜和所述第二電極構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換單元，所述第一電極為透明電極。

本發(fā)明提供的陣列基板具有如上結(jié)構(gòu)，由于遮光區(qū)上包括依次層疊設(shè)置的第一電極、光電轉(zhuǎn)換薄膜和第二電極，并且第一電極為透明電極，因而背光源出射的光可透過(guò)第一電極到達(dá)光電轉(zhuǎn)換薄膜，光電轉(zhuǎn)換薄膜可將光能轉(zhuǎn)換為電能，也即，第一電極、光電轉(zhuǎn)換薄膜和第二電極構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換單元可吸收從背光源出射的光，使光無(wú)法透過(guò)，因而第一電極、光電轉(zhuǎn)換薄膜和第二電極構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換單元可與現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣一樣起到遮光作用；并且，光電轉(zhuǎn)換薄膜產(chǎn)生的電能可供應(yīng)給顯示裝置，與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣僅能用于遮光相比，本發(fā)明中，光電轉(zhuǎn)換單元除用于遮光外，還能產(chǎn)生可供給顯示裝置的電能，因而可有效利用遮光區(qū)。

此外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。由于該顯示裝置包括以上所述的陣列基板，因而顯示裝置與陣列基板相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

此外，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括多個(gè)透光區(qū)，以及圍繞每個(gè)所述透光區(qū)的遮光區(qū)，所述方法包括：

形成第一電極層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝在所述遮光區(qū)上形成包括第一電極的圖形；

形成光電轉(zhuǎn)換薄膜層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝在所述遮光區(qū)上形成包括光電轉(zhuǎn)換薄膜的圖形；

形成第二電極層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝在所述遮光區(qū)上形成包括第二電極的圖形；

其中，所述第一電極、所述光電轉(zhuǎn)換薄膜和所述第二電極構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換單元，且所述第一電極為透明電極。

由于上述陣列基板的制作方法與陣列基板相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，因而在此不再贅述。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)圖；

圖2為圖1中沿A-A’方向的剖面圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法流程圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1—遮光區(qū)；11—第一電極；12—光電轉(zhuǎn)換薄膜；

13—第二電極；14—第三電極；2—透光區(qū)；

21—像素電極；22—公共電極；23—絕緣層；

24—彩色濾光層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提出了一種陣列基板，如圖1和圖2所示，該陣列基板包括多個(gè)透光區(qū)2，以及圍繞每個(gè)透光區(qū)2的遮光區(qū)1，遮光區(qū)1上包括依次層疊設(shè)置的第一電極11、光電轉(zhuǎn)換薄膜12和第二電極13，第一電極11、光電轉(zhuǎn)換薄膜12和第二電極13構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換單元，其中，第一電極11為透明電極。