[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510660945.0
• 申請日: 2015-10-14
• 公開（公告）號: CN106601748A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉金華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

步驟S101：在半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的硬掩膜，利用所述硬掩膜對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕以形成位于有源區(qū)兩側(cè)的用于容置淺溝槽隔離的溝槽；

步驟S102：在所述溝槽內(nèi)形成淺溝槽隔離；

步驟S103：去除所述硬掩膜，對所述有源區(qū)對應(yīng)的所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行氮注入，以在所述半導(dǎo)體襯底中形成氮注入?yún)^(qū)，其中，位于所述有源區(qū)的邊緣部分的氮注入?yún)^(qū)的氮濃度低于位于所述有源區(qū)的中心部分的氮注入?yún)^(qū)的氮濃度；

步驟S104：在所述有源區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底上形成隧道氧化層，其中所述隧道氧化層的位于有源區(qū)邊緣區(qū)域的部分的厚度大于所述隧道氧化層的位于有源區(qū)中心區(qū)域的部分的厚度；

步驟S105：在所述隧道氧化層之上形成浮柵。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述氮注入為傾斜注入。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述傾斜注入的注入方向與豎直方向的夾角范圍為10°～80°。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

沉積淺溝槽隔離材料填充所述溝槽并覆蓋所述硬掩膜；

對所述淺溝槽隔離材料進(jìn)行平坦化，停止于所述硬掩膜的表面上。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105之后還包括如下步驟：

步驟S106：去除所述淺溝槽隔離高于所述半導(dǎo)體襯底的部分；

步驟S107：形成位于所述浮柵之上的柵間介電層以及位于所述柵間介電層之上的控制柵。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜包括第一硬掩膜層和位于其上的第二硬掩膜層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 所述第一硬掩膜層的材料為氧化硅，所述第二硬掩膜層的材料為氮化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述隧道氧化層的位于有源區(qū)中心區(qū)域的部分的厚度為

9.一種采用如權(quán)利要求1至8中任一項所述的制造方法獲得的半導(dǎo)體器件。