[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510660740.2
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN105185781B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 堤聰明;船戶是宏;奧平智仁;山形整人;內(nèi)田明久;鈴木智久;鐘江義晴;寺崎健
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/822
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

將具有利用了基準(zhǔn)電阻的振蕩電路的半導(dǎo)體芯片(CP1)樹脂封固而形成半導(dǎo)體器件。振蕩電路利用基準(zhǔn)電阻生成基準(zhǔn)電流，根據(jù)該基準(zhǔn)電流和振蕩部的振蕩頻率生成電壓，振蕩部以與所生成的電壓相應(yīng)的頻率進(jìn)行振蕩。在由半導(dǎo)體芯片(CP1)的主面的第1邊(S1、S2、S3、S4)、連接第1邊的一端與半導(dǎo)體芯片的主面的中心(CT1)而成的第1線(42、43、44、45)、連接第1邊的另一端與半導(dǎo)體芯片的主面的中心而成的第2線(42、43、44、45)所包圍的第1區(qū)域(RG1、RG2、RG3、RG4)內(nèi)，通過在垂直于第1邊的第1方向(Y)上延伸的多個(gè)電阻體形成基準(zhǔn)電阻。

本發(fā)明申請是國際申請日為2010年11月29日、國際申請?zhí)枮镻CT/JP2010/071264、進(jìn)入中國國家階段的國家申請?zhí)枮?01080070396.7、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及具有振蕩電路的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在各種半導(dǎo)體器件中有時(shí)使用振蕩電路。

在日本特開2007－13119號公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)和日本特開2010－10168號公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，記載了關(guān)于具有振蕩電路的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-13119號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2010-10168號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

為了使需要振蕩電路的半導(dǎo)體器件系統(tǒng)整體小型化，使振蕩電路內(nèi)置在半導(dǎo)體芯片內(nèi)是有效的。另外，在內(nèi)置有振蕩電路以外的各種電路的半導(dǎo)體芯片內(nèi)，若也內(nèi)置振蕩電路，則能夠使半導(dǎo)體器件系統(tǒng)更加小型化。

然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究，發(fā)現(xiàn)了如下情況。

為了提高振蕩電路的性能，本發(fā)明人對利用了基準(zhǔn)電阻的振蕩電路進(jìn)行了研究。具體而言，對如下振蕩電路進(jìn)行了研究：利用基準(zhǔn)電阻生成基準(zhǔn)電流，根據(jù)該基準(zhǔn)電流和振蕩部的振蕩頻率生成電壓，以與所生成的電壓相應(yīng)的頻率使振蕩部振蕩。在這種振蕩電路中，由于根據(jù)基準(zhǔn)電流和振蕩頻率生成電壓，將所生成的電壓輸入到振蕩部，且以與電壓相應(yīng)的頻率使振蕩部振蕩，從而能夠?qū)崿F(xiàn)振蕩頻率的穩(wěn)定化。然而，當(dāng)基準(zhǔn)電阻的電阻值由于某種原因而變動時(shí)，振蕩頻率也會變動，因此希望盡可能排除基準(zhǔn)電阻的電阻值的變動原因。

于是，本發(fā)明人對基準(zhǔn)電阻的電阻值的變動原因進(jìn)行了研究，新發(fā)現(xiàn)了如下情況。

雖然內(nèi)置有振蕩電路的半導(dǎo)體芯片被樹脂材料封固而封裝，但因?qū)雽?dǎo)體芯片樹脂封固而導(dǎo)致在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生應(yīng)力，由該應(yīng)力使內(nèi)置于半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)電阻的電阻值發(fā)生變動。因樹脂封固產(chǎn)生的應(yīng)力所導(dǎo)致的電阻值的變動，即使是在通常的電阻元件中不會造成問題的程度的變動，在上述那樣的振蕩電路的基準(zhǔn)電阻中也會成為振蕩頻率的變動原因。也就是說，若由于由將半導(dǎo)體芯片樹脂封固所引起的應(yīng)力使內(nèi)置于半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)電阻的電阻值發(fā)生變動，則導(dǎo)致振蕩電路的振蕩頻率發(fā)生變動，這會使具有振蕩電路的半導(dǎo)體器件的性能下降。

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠提高半導(dǎo)體器件的性能的技術(shù)。

本發(fā)明的上述目的、其他目的以及新型特征，將從本說明書的記述以及附圖中得到明確。

對本申請所公開的發(fā)明中的、具有代表性的發(fā)明的概要簡單說明如下。