[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201510660740.2
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN105185781B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 堤聰明;船戶是宏;奧平智仁;山形整人;內田明久;鈴木智久;鐘江義晴;寺崎健
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/822
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

1.一種半導體器件，具有被樹脂封固的半導體芯片，其特征在于，

所述半導體芯片具有振蕩電路，

所述振蕩電路具有：利用基準電阻將電壓轉換成電流的電壓-電流轉換部；根據來自所述電壓-電流轉換部的輸入電流和振蕩部的振蕩頻率生成電壓的電壓生成部；和以與來自所述電壓生成部的輸入電壓相應的頻率進行振蕩的所述振蕩部，

在所述電壓-電流轉換部中，通過對所述基準電阻施加基準電壓來生成基準電流，將與所述基準電流相應的電流作為所述輸入電流而輸入到所述電壓生成部，

所述半導體芯片的主面中，由所述半導體芯片的所述主面的第1邊、連接所述第1邊的一端與所述半導體芯片的所述主面的中心的第1線、和連接所述第1邊的另一端與所述半導體芯片的所述主面的中心的第2線圍成第1區域，所述基準電阻在所述第1區域內由在垂直于所述第1邊的第1方向上延伸的多個電阻體形成，

所述電阻體分別通過在所述第1方向上延伸的第1導電體圖案而形成，

所述多個電阻體分別通過與所述第1導電體圖案同層或不同層的第2導電體圖案而串聯連接，所述第2導電體圖案在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸，

將鄰接的所述電阻體彼此連接的所述第2導電體圖案的電阻值為所述電阻體的電阻值的1/10以下。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第2方向是與所述第1邊平行的方向。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述多個電阻體在所述第2方向上并列配置。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述基準電阻形成在所述第1區域中的、距所述第1邊0.1mm以上的位置。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

所述基準電阻與所述第1區域中的、連接所述第1線的中心和所述第2線的中心而成的第3線相比靠所述第1邊側配置。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1導電體圖案由金屬構成。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1導電體圖案由高熔點金屬構成。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1導電體圖案由鎢、氮化鈦或氮化鉭構成。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1導電體圖案由多晶硅構成。

10.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

形成有除所述基準電阻以外的所述振蕩電路的振蕩電路形成區域，配置在所述半導體芯片的所述主面的中心附近。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，

所述基準電阻在所述半導體芯片的所述主面上與所述振蕩電路形成區域分離地配置。

12.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

在所述半導體芯片的所述主面的周邊部形成有多個焊盤電極，

形成有除所述基準電阻以外的所述振蕩電路的振蕩電路形成區域，配置在與所述多個焊盤電極中的至少一個以上的焊盤電極在俯視時重疊的位置。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在所述半導體芯片的所述主面的周邊部形成有多個焊盤電極，

所述基準電阻與形成有所述多個焊盤電極的所述周邊部相比配置在內側。