[發(fā)明專利]晶圓圖案化制程

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510660443.8
• 申請日: 2015-10-14
• 公開（公告）號: CN106597810B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉丞祥;黃兆義
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種晶圓圖案化制程，包括：提供一晶圓，具有多個刻痕，其分別位于晶圓的邊緣；使用一曝光機(jī)，并根據(jù)所述刻痕中的第一刻痕為參考點，以執(zhí)行第一次曝光操作；根據(jù)第一次曝光結(jié)果決定一轉(zhuǎn)動角度，并執(zhí)行一轉(zhuǎn)動操作；以及對晶圓執(zhí)行第二次曝光操作。因此，本發(fā)明在晶圓布局上，同時可達(dá)到制程的簡易性，還可減少制程的成本并增加制程的寬容度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，尤其涉及一種簡化曝光操作的晶圓圖案化制程。

背景技術(shù)

對于先進(jìn)半導(dǎo)體制程中，由于設(shè)計法則(design rule)及臨界尺寸(criticaldimension)微縮，特別是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic random access memory，DRAM)具有大面積陣列結(jié)構(gòu)的集成電路組合，常為了微縮存儲單元面積同時避開阻擋層或增加與底層硅接觸面積(Sicon contact area)，而需要一些層別需要特別的斜角度(tilt)或彎曲(wiggle shape)的設(shè)計。

然而，特定斜角度的圖案微影(lithograohy)成像會增加許多的困難及制程裕度(process window)的考量。首先，照光須制定特殊的照明模式設(shè)計，或是曝光機(jī)需配備高階的照明模塊。接著，光學(xué)鄰近修正術(shù)(optical proximity correction，OPC)處理的部份，其單元處理時間較長及困難度較高，其陣列邊緣需多次最佳化調(diào)整并特別處理。再來，掩膜制造上，由于掩膜讀寫時間大幅增加，進(jìn)而導(dǎo)致掩膜制造成本居高不下及掩膜的關(guān)鍵尺寸均勻度(critical dimension uniformity，CDU)控制不易。最后導(dǎo)致制程寬容度不佳及線性圖樣邊界較為粗糙等問題。因此，如何簡化此類特殊曝光圖樣所可能造成的制程問題，對于微影制程是一個重要課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出一種晶圓圖案化制程，其主要是采用不同掩膜，并通過控制晶圓或掩膜的轉(zhuǎn)動角度來實現(xiàn)特殊角度的曝光應(yīng)用，在晶圓布局(layout)上，同時可達(dá)到制程的簡易性，還可減少制程之的成本并增加制程的寬容度。

本發(fā)明提供一種晶圓圖案化制程，包括：提供一晶圓，其具有多個刻痕，其分別位于晶圓的邊緣；使用一曝光機(jī)，并根據(jù)晶圓的所述刻痕中的第一刻痕為參考點，以執(zhí)行第一次曝光操作；根據(jù)第一刻痕決定一轉(zhuǎn)動角度，并執(zhí)行一轉(zhuǎn)動操作；以及對晶圓執(zhí)行第二次曝光操作。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的刻痕中的第一刻痕為參考點，以執(zhí)行第一次曝光操作的步驟之前包括根據(jù)所述晶圓的第一刻痕決定一固定角度。

在本發(fā)明的一實施例中，根據(jù)上述的第一次曝光結(jié)果決定轉(zhuǎn)動角度，以執(zhí)行一轉(zhuǎn)動操作的步驟包括將晶圓以所述固定角度為基準(zhǔn)，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動角度。

在本發(fā)明的一實施例中，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動角度為順時針方向轉(zhuǎn)動或逆時針方向轉(zhuǎn)動。

在本發(fā)明的一實施例中，根據(jù)上述的第一次曝光結(jié)果決定轉(zhuǎn)動角度，以執(zhí)行一轉(zhuǎn)動操作的步驟包括將曝光機(jī)的一掩膜以所述固定角度為基準(zhǔn)，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動角度。

在本發(fā)明的一實施例中，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動角度為順時針方向轉(zhuǎn)動或逆時針方向轉(zhuǎn)動。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的掩膜包括至少一圖案，至少一圖案包括方形、矩形、線形或其組合。

在本發(fā)明的一實施例中，執(zhí)行上述的第一次曝光操作步驟之后，還包括進(jìn)行一顯影操作。

在本發(fā)明的一實施例中，進(jìn)行上述的顯影操作步驟之后，還包括進(jìn)行一蝕刻操作。

基于上述，本發(fā)明所提出的一種晶圓圖案化制程，通過不同掩膜，并控制晶圓或掩膜的轉(zhuǎn)動角度來實現(xiàn)特殊角度的曝光應(yīng)用，藉此可達(dá)到制程的簡易性，還可減少制程之的成本并增加制程的寬容度。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明