[發(fā)明專利]一種透明顯示面板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510650959.4 | 申請日: | 2015-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN105206650A | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李艷虎;余磊 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海隆天律師事務(wù)所 31282 | 代理人: | 臧云霄;李峰 |
| 地址: | 201500 上海市金山區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明設(shè)計半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,特別涉及一種透明顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)
據(jù)市場研究機構(gòu)IHS估計,2015年透明顯示器市值可達1億美元,十年后將跳增至870億美元,每年將以近兩倍的速度增長。其應(yīng)用領(lǐng)域包含多個方面,例如:個人應(yīng)用(手表、手機、平板電腦、筆記本電腦等);家用電器顯示(冰箱、微波爐等),電視/大屏顯示器;廣告顯示屏,辦公顯示,教育,建筑(窗戶);軍事用途;平視顯示(汽車,飛機)等。
透明顯示的一個主要指標就是其透明度(即透光性),與諸多顯示面板相比,OLED面板因其主動發(fā)光、高對比度、無視角限制等其諸多優(yōu)點及獨特的器件結(jié)構(gòu)成為發(fā)展透明顯示技術(shù)的不二載體。在透明OLED顯示面板中,由于陰極需要考慮到匹配性的問題,采用的多為Mg/Ag(合金)、Yb、Ga、Ba、Mg/A1(合金)等低功函數(shù)材料,這些低功函數(shù)材料的透光性是非常差的,通常陰極的透光率僅為50%左右。
陰極的制程一般會采用普通的掩膜板(非高精度掩膜板)進行全屏的陰極蒸鍍,由于陰極的穿透率比較低,因此大大限制透明OLED顯示面板的透明度(即透光性)。針對這一問題,目前也有一些透明OLED顯示面板的陰極通過使用兩套金屬掩膜板分別對透明OLED顯示面板的像素區(qū)和透光區(qū)進行蒸鍍。其中,蒸鍍于透光區(qū)的陰極主要起到導(dǎo)通蒸鍍于像素區(qū)的陰極的作用。因此,蒸鍍于透光區(qū)的陰極的面積越小越好,使透光區(qū)有較佳的穿透率從而提高整體透明OLED顯示面板的透光性。
為了使蒸鍍于透光區(qū)的陰極的面積小,會在蒸鍍過程中使用高精度金屬掩膜板進行蒸鍍,高精度金屬掩膜板的開口尺寸越小越好。但在該蒸鍍過程中,由于蒸鍍于透光區(qū)的陰極所使用的蒸鍍材料一般為導(dǎo)電金屬,如Ag、AL等,這些材料的蒸鍍溫度較高,其在蒸鍍時產(chǎn)生的溫度會導(dǎo)致金屬掩膜板變形,而蒸鍍材料與金屬掩膜板之間的表面張力相近、容易導(dǎo)致金屬掩膜板產(chǎn)生吸附效果,導(dǎo)致開口較小的高精度金屬掩膜板產(chǎn)生開口堵塞的現(xiàn)象,且開口越小開口堵塞的概率越大。金屬掩膜板的變形和開口堵塞會嚴重影響金屬掩膜板的對位精度以及透明OLED顯示面板的制作。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本發(fā)明的目的是提供一種透明顯示面板及其制造方法,該透明顯示面板及其制造方法可以有效地解決現(xiàn)有的透明顯示面板的陰極制程過程中因金屬掩膜板的變形和開口堵塞而影響金屬掩膜板的對位精度以及透明顯示面板的制作等問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面提供一種透明顯示面板,其特征在于,所述透明顯示面板包括:基板,所述基板包括多個像素區(qū)以及圍繞所述像素區(qū)的透光區(qū);有機電致發(fā)光器件,設(shè)置于所述基板上,且對應(yīng)于所述基板的像素區(qū),所述有機電致發(fā)光器件包括:薄膜晶體管,設(shè)置于所述基板的像素區(qū)上;像素電極,設(shè)置于所述薄膜晶體管上,與所述薄膜晶體管電連接;發(fā)光層,設(shè)置于所述像素電極上;對向電極,設(shè)置于所述基板的像素區(qū),且位于所述發(fā)光層的上方;導(dǎo)電層,設(shè)置于所述透光區(qū)的上方,位于相鄰的兩個所述對向電極之間,連接相鄰的兩個所述對向電極,其中,所述導(dǎo)電層由蒸鍍溫度低于600℃的導(dǎo)電材料制成。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電層由可見光透過率大于80%的材料制成。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電層由C60、C70材料;摻雜P型或N型的摻雜材料的C60、C70材料;MoO3;苝酰亞胺、IZO或者ITO材料制成。
優(yōu)選地,所述摻雜材料為F4-TCNQ材料。
優(yōu)選地,所述對向電極由Mg/Ag、Yb、Ga、Ba、Mg/A1或者Yb/Ag材料制成。
優(yōu)選地,所述對向電極的厚度為
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電層的厚度為
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電層位于所述對向電極的上方,其兩側(cè)重疊設(shè)置于相鄰的兩個所述對向電極的上方。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電層與每個所述對向電極的重疊部分的寬度小于等于10μm。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,還提供一種上述的透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步驟:提供一基板,所述基板包括像素區(qū)和圍繞于所述像素區(qū)的透光區(qū);在基板上的像素區(qū)制作薄膜晶體管;在所述基板上的像素區(qū)濺射像素電極,并于所述像素電極上蒸鍍發(fā)光層;在所述基板的像素區(qū)蒸鍍對向電極;以及在蒸鍍溫度600℃的環(huán)境下,在所述基板的透光區(qū)蒸鍍導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層位于相鄰的兩個所述對向電極之間,連接相鄰的兩個所述對向電極。
優(yōu)選地,所述對向電極使用第一金屬掩膜板進行蒸鍍,所述導(dǎo)電層使用第二金屬掩膜板進行蒸鍍。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電層由可見光透過率大于80%的材料制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





