[發(fā)明專利]一種透明顯示面板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510650959.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105206650A | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李艷虎;余磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海隆天律師事務(wù)所 31282 | 代理人: | 臧云霄;李峰 |
| 地址: | 201500 上海市金山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種透明顯示面板,其特征在于,所述透明顯示面板包括:
基板,所述基板包括多個(gè)像素區(qū)以及圍繞所述像素區(qū)的透光區(qū);
有機(jī)電致發(fā)光器件,設(shè)置于所述基板上,且對(duì)應(yīng)于所述基板的像素區(qū),所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括:
薄膜晶體管,設(shè)置于所述基板的像素區(qū)上;
像素電極,設(shè)置于所述薄膜晶體管上,與所述薄膜晶體管電連接;
發(fā)光層,設(shè)置于所述像素電極上;以及
對(duì)向電極,設(shè)置于所述基板的像素區(qū),且位于所述發(fā)光層的上方;以及
導(dǎo)電層,設(shè)置于所述透光區(qū)的上方,位于相鄰的兩個(gè)所述對(duì)向電極之間,連接相鄰的兩個(gè)所述對(duì)向電極,其中,所述導(dǎo)電層由蒸鍍溫度低于600℃的導(dǎo)電材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電層由可見光透過率大于80%的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電層由C60、C70材料;摻雜P型或N型的摻雜材料的C60、C70材料;MoO3;苝酰亞胺、IZO或者ITO材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透明顯示面板,其特征在于,所述摻雜材料為F4-TCNQ材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述對(duì)向電極由Mg/Ag、Yb、Ga、Ba、Mg/A1或者Yb/Ag材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述對(duì)向電極的厚度為
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電層的厚度為
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電層位于所述對(duì)向電極的上方,其兩側(cè)重疊設(shè)置于相鄰的兩個(gè)所述對(duì)向電極的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電層與每個(gè)所述對(duì)向電極的重疊部分的寬度小于等于10μm。
10.一種透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步驟:
提供一基板,所述基板包括像素區(qū)和圍繞于所述像素區(qū)的透光區(qū);
在基板上的像素區(qū)制作薄膜晶體管;
在所述基板上的像素區(qū)濺射像素電極,并于所述像素電極上蒸鍍發(fā)光層;
在所述基板的像素區(qū)蒸鍍對(duì)向電極;以及
在蒸鍍溫度600℃的環(huán)境下,在所述基板的透光區(qū)蒸鍍導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層位于相鄰的兩個(gè)所述對(duì)向電極之間,連接相鄰的兩個(gè)所述對(duì)向電極。
11.如權(quán)利要求10所述的透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述對(duì)向電極使用第一金屬掩膜板進(jìn)行蒸鍍,所述導(dǎo)電層使用第二金屬掩膜板進(jìn)行蒸鍍。
12.如權(quán)利要求10所述的透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述導(dǎo)電層由可見光透過率大于80%的材料制成。
13.如權(quán)利要求12所述的透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述對(duì)向電極以及所述導(dǎo)電層均使用第一金屬掩膜板進(jìn)行蒸鍍。
14.如權(quán)利要求11或13所述的透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述第一金屬掩膜板為普通金屬掩膜板,所述第一金屬掩膜板的開口尺寸為60μm×70μm。
15.如權(quán)利要求11所述的透明顯示面板的制造方法,其特征在于,所述第二金屬掩膜板為高精度金屬掩膜板,所述第二金屬掩膜板的開口尺寸為30μm×60μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海和輝光電有限公司,未經(jīng)上海和輝光電有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510650959.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





