[發明專利]測量曝光機臺漏光的光掩膜及方法

有效

• 申請號: 201510648246.4
• 申請日: 2015-10-08
• 公開（公告）號: CN106569395B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 李玉華;王亞超
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/44
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

本發明涉及一種測量曝光機臺漏光的光掩模及方法，該測量曝光機臺漏光的方法先后利用測量曝光機臺漏光的光掩模上的第一測試區域和第二測試區域對晶圓進行光刻，且在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關系中，測試圖形分別與外框圖形外邊緣、內邊緣及內框圖形內邊緣的距離，均小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。因此在曝光機臺存在漏光的情況下，漏光會使得晶圓上的內框圖形標記或外框圖形標記發生不規則變化，從而可以通過判斷晶圓上顯影后的內框圖形標記、外框圖形標記的中心是否重合，來判斷曝光機臺是否漏光，測量精度高，還具有測量速度快的優勢。

技術領域

本發明涉及集成電路光刻技術領域，特別是涉及一種測量曝光機臺漏光的光掩膜及方法。

背景技術

在制造集成電路的光刻工序中，需利用曝光機發出的直射光對晶圓曝光，從而在晶圓上成像以形成集成電路的特征圖形。而曝光機由于長期使用或其他原因，當鏡面被污染或光路上分布有顆粒時，會產生漫反射或散射，從而出現漏光現象，進而影響光刻的精度。因此，有必要在光刻工序之前檢測曝光機臺是否漏光。

傳統檢測曝光機臺漏光的方法中，有通過人工在顯微鏡下直接讀取光刻膠顯影后的圖形來判斷是否漏光的方法，但測量精度較低；也有利用掃描電子顯微鏡測量條寬來判斷漏光的方法，但測量速度較慢。

發明內容

基于此，有必要針對傳統檢測曝光機臺漏光方法測量精度低、測量速度慢的問題，提供一種測量速度快且準確度高的測量曝光機臺漏光的光掩膜及方法。

一種測量曝光機臺漏光的光掩膜，包括面積與晶圓待光刻表面相同的第一測試區域、第二測試區域，其中，所述第一測試區域包括用于光刻且中心重合的內框圖形、外框圖形；所述第二測試區域包括用于光刻的測試圖形；

將所述第一測試區域和第二測試區域分別相對于晶圓待光刻表面對準后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關系中：所述測試圖形與內框圖形、外框圖形處于不同的位置且沒有重疊，且所述測試圖形分別與外框圖形外邊緣、內邊緣及內框圖形內邊緣的距離，均小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

在其中一個實施例中，將所述第一測試區域和第二測試區域分別相對于晶圓待光刻表面對準后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關系中：所述測試圖形分別與所述外框圖形外邊緣、內邊緣及內框圖形內邊緣的距離介于0.5至5微米之間。

在其中一個實施例中，所述內框圖形包括兩條內框橫向矩形和兩條內框縱向矩形，且所述內框橫向矩形與內框縱向矩形垂直并相鄰；所述外框圖形包括兩條外框橫向矩形和兩條外框縱向矩形，且所述外框橫向矩形與外框縱向矩形垂直相鄰；所述內框橫向矩形、內框縱向矩形的長度分別小于所述外框橫向矩形、外框縱向矩形的長度；

所述測試圖形包括第一圖形、第二圖形、第三圖形；將所述第一測試區域和第二測試區域分別相對于晶圓待光刻表面對準后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關系中：所述第一圖形、第二圖形、第三圖形分別與所述外框圖形外邊緣、內邊緣及內框圖形內邊緣的距離，小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

在其中一個實施例中，所述第一圖形包括垂直并相鄰的第一橫向矩形、第一縱向矩形；將所述第一測試區域和第二測試區域分別相對于晶圓待光刻表面對準后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關系中：所述第一橫向矩形、第一縱向矩形分別對應平行處于所述外框圖形中一對垂直并相鄰的外框橫向矩形、外框縱向矩形的外側位置，同時所述第一橫向矩形、第一縱向矩形分別與所述垂直并相鄰的外框橫向矩形、外框縱向矩形外邊緣的距離，小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。