[發(fā)明專利]測量曝光機臺漏光的光掩膜及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510648246.4
• 申請日: 2015-10-08
• 公開（公告）號: CN106569395B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李玉華;王亞超
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/44
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，所述光掩模包括面積與晶圓待光刻表面相同的第一測試區(qū)域、第二測試區(qū)域，其中，所述第一測試區(qū)域包括用于光刻且中心重合的內(nèi)框圖形、外框圖形；所述第二測試區(qū)域包括用于光刻的測試圖形；

將所述第一測試區(qū)域和第二測試區(qū)域分別相對于晶圓待光刻表面對準(zhǔn)后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關(guān)系中：所述測試圖形與內(nèi)框圖形、外框圖形處于不同的位置且沒有重疊，且所述測試圖形分別與外框圖形外邊緣、內(nèi)邊緣及內(nèi)框圖形內(nèi)邊緣的距離，均小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，將所述第一測試區(qū)域和第二測試區(qū)域分別相對于晶圓待光刻表面對準(zhǔn)后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關(guān)系中：所述測試圖形分別與所述外框圖形外邊緣、內(nèi)邊緣及內(nèi)框圖形內(nèi)邊緣的距離介于0.5至5微米之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，所述內(nèi)框圖形包括兩條內(nèi)框橫向矩形和兩條內(nèi)框縱向矩形，且所述內(nèi)框橫向矩形與內(nèi)框縱向矩形垂直并相鄰；所述外框圖形包括兩條外框橫向矩形和兩條外框縱向矩形，且所述外框橫向矩形與外框縱向矩形垂直相鄰；所述內(nèi)框橫向矩形、內(nèi)框縱向矩形的長度分別小于所述外框橫向矩形、外框縱向矩形的長度；

所述測試圖形包括第一圖形、第二圖形、第三圖形；將所述第一測試區(qū)域和第二測試區(qū)域分別相對于晶圓待光刻表面對準(zhǔn)后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關(guān)系中：所述第一圖形、第二圖形、第三圖形分別與所述外框圖形外邊緣、內(nèi)邊緣及內(nèi)框圖形內(nèi)邊緣的距離，小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，所述第一圖形包括垂直并相鄰的第一橫向矩形、第一縱向矩形；將所述第一測試區(qū)域和第二測試區(qū)域分別相對于晶圓待光刻表面對準(zhǔn)后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關(guān)系中：所述第一橫向矩形、第一縱向矩形分別對應(yīng)平行處于所述外框圖形中一對垂直并相鄰的外框橫向矩形、外框縱向矩形的外側(cè)位置，同時所述第一橫向矩形、第一縱向矩形分別與所述垂直并相鄰的外框橫向矩形、外框縱向矩形外邊緣的距離，小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，所述第二圖形包括垂直并相鄰的第二橫向矩形和第二縱向矩形；將所述第一測試區(qū)域和第二測試區(qū)域分別相對于晶圓待光刻表面對準(zhǔn)后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關(guān)系中：所述第二橫向矩形、第二縱向矩形分別對應(yīng)平行處于所述外框圖形中其余兩條垂直并相鄰的外框橫向矩形、外框縱向矩形內(nèi)側(cè)位置，同時所述第二橫向矩形、第二縱向矩形分別與所述其余兩條垂直并相鄰的外框橫向矩形、外框縱向矩形內(nèi)邊緣的距離，小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，所述第三圖形包括相互連接的第三橫向邊緣、第三縱向邊緣、第三斜邊緣，且所述第三橫向邊緣與第三縱向邊緣垂直；將所述第一測試區(qū)域和第二測試區(qū)域分別相對于晶圓待光刻表面對準(zhǔn)后，在各圖形相對于晶圓待光刻表面形成的投影位置關(guān)系中：所述第三橫向邊緣、第三縱向邊緣分別對應(yīng)平行處于所述內(nèi)框圖形中一對垂直并相鄰的內(nèi)框橫向矩形、內(nèi)框縱向矩形的內(nèi)側(cè)位置，同時所述第三橫向邊緣、第三縱向邊緣分別與所述垂直相鄰的內(nèi)框橫向矩形、內(nèi)框縱向矩形內(nèi)邊緣的距離，小于各從曝光機臺同一位置射出的漏光和直射光分別到達晶圓待光刻表面位置之間的距離中的最小值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測量曝光機臺漏光的光掩膜，其特征在于，所述第一橫向矩形與第一縱向矩形垂直連接；或所述第二橫向矩形與第二縱向矩形垂直連接；或所述第一橫向矩形與第一縱向矩形垂直連接，且所述第二橫向矩形與第二縱向矩形垂直連接。