[發明專利]COA型陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201510645537.8
• 申請日: 2015-10-08
• 公開（公告）號: CN105353570A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 沈嘉文
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種COA型陣列基板，其特征在于，包括：基板(1)、設于所述基板(1)上的TFT層(2)、設于所述TFT層(2)上的彩色光阻層(3)、及設于所述彩色光阻層(3)上的像素電極(4)；

所述基板(1)包括呈陣列排布的數個子像素區域(10)，所述彩色光阻層(3)包括對應數個子像素區域(10)的數個色阻塊(30)，所述數個色阻塊(30)包括品紅色光阻塊(31)、青色光阻塊(32)、黃色光阻塊(33)、及透明光阻塊(34)，在白光照射下，所述品紅色光阻塊(31)、青色光阻塊(32)、黃色光阻塊(33)、及透明光阻塊(34)分別透射出品紅色、青色、黃色、及白色光。

2.如權利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述TFT層(2)包括對應數個子像素區域(10)的數個TFT(20)，所述TFT(20)包括：設于所述基板(1)上的柵極(21)、設于所述柵極(21)及基板(1)上的柵極絕緣層(22)、設于所述柵極絕緣層(22)上的半導體層(23)、及設于所述半導體層(23)上的源極(24)與漏極(25)。

3.如權利要求2所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述彩色光阻層(3)上對應所述漏極(25)上方設有過孔(41)，所述像素電極(4)通過該過孔(41)與漏極(25)相接觸。

4.如權利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述彩色光阻層(3)中的數個色阻塊(30)構成多個重復排列的像素單元(35)，每個像素單元(35)包括左到右依次排列的品紅色光阻塊(31)、青色光阻塊(32)、黃色光阻塊(33)、及透明光阻塊(34)。

5.如權利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述像素電極(4)的材料為ITO。

6.一種COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(1)，所述基板(1)包括呈陣列排布的數個子像素區域(10)，在所述基板(1)形成TFT層(2)；

步驟2、在所述TFT層(2)上制作彩色光阻層(3)，所述彩色光阻層(3)包括對應數個子像素區域(10)的數個色阻塊(30)，所述數個色阻塊(30)包括品紅色光阻塊(31)、青色光阻塊(32)、黃色光阻塊(33)、及透明光阻塊(34)；

步驟3、在所述彩色光阻層(3)上形成像素電極(4)。

7.如權利要求6所述的COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT層(2)包括對應數個子像素區域(10)的數個TFT(20)，所述TFT(20)包括：設于所述基板(1)上的柵極(21)、設于所述柵極(21)及基板(1)上的柵極絕緣層(22)、設于所述柵極絕緣層(22)上的半導體層(23)、及設于所述半導體層(23)上的源極(24)與漏極(25)。

8.如權利要求7所述的COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻層(3)上對應所述漏極(25)上方設有過孔(41)，所述像素電極(4)通過該過孔(41)與漏極(25)相接觸。

9.如權利要求6所述的COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻層(3)中的數個色阻塊(30)構成數個重復排列的像素單元(35)，每個像素單元(35)包括從左到右依次排列的品紅色光阻塊(31)、青色光阻塊(32)、黃色光阻塊(33)、及透明光阻塊(34)。

10.如權利要求6所述的COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述像素電極(4)的材料為ITO。