[發明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201510640726.6
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN105489591B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 權容臺;李俊奎
• 申請（專利權）人: NEPES株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/535;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 瞿衛軍;張晶

本發明公開一種設有電連接半導體封裝的上部和下部的導電性路徑的半導體封裝及其制造方法。本發明的實施例的半導體封裝包括：半導體芯片；基板，包括容納半導體芯片的容納部；包封材料，將半導體芯片和基板一體地塑封；貫穿布線，將基板沿上下方向貫穿；布線部，電連接半導體芯片和貫穿布線的一側；外部連接部，與貫穿布線的另一側電連接，可與外部電連接，其中，布線部的布線層與貫穿布線連接。

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝及其制造方法，更為具體地，涉及一種具備電連接半導體的上部和下部的導電路徑的半導體封裝及其制造方法。

背景技術

隨著半導體制造工藝的持續發展，半導體芯片的大小也不斷縮小。近來，半導體芯片的尺寸變得非常小，以至于形成半導體封裝時，為了電連接反而需要增加封裝的大小。在這種發展過程中，所提出的半導體封裝技術中的一個是扇出型封裝(Pan-out Package)。

并且，伴隨著在扇出型封裝的外側區域形成上下垂直傳輸信號的圖案結構，并上下層疊相同類型的封裝或不同類型的封裝，從而在同一封裝面積中擴展存儲容量或提高半導體的運行性能的技術，正在研發各種類型的半導體封裝技術。

扇出型封裝結構是指在半導體芯片的外周面配置將半導體芯片封裝在電路板內部的嵌入式結構或半導體芯片的最終的輸入和輸出端的焊錫球，通常，為了設置電連接半導體封裝的上部和下部的導電路徑，在基板上形成導通孔(via-hole)，并形成電連接導通孔和半導體芯片的金屬再布線層。

現有的形成有導通孔的扇出型封裝，為了連接半導體芯片的焊盤和導通孔，在形成有導通孔的基板上表面形成金屬焊盤，同時為了連接外部基板和焊錫球，在基板的下表面形成金屬焊盤。并且，在基板的上表面，在金屬焊盤上表面形成第一絕緣層，并通過金屬再布線層電連接半導體芯片的焊盤和導通孔，然后涂布第二絕緣層。

但是這種結構的基板上表面的金屬焊盤具有一定厚度以上的段差，因此，為了均勻地形成第一絕緣層，需要涂布絕緣層，使其厚度厚于金屬焊盤。由于需要形成較厚的絕緣層，在選擇絕緣材料方面受限，而且在細間距的圖案化方面也面臨著受到限制的問題。

現有技術文獻

專利文獻

授權專利公報10-1362714(2014年2月13日公告)

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明的實施例涉及一種可制造成薄型的半導體封裝及其制造方法。

并且，涉及一種在貫穿基板的貫穿布線與布線層之間不插入另外的金屬焊盤等，也能夠層疊布線層的半導體封裝及其制造方法。

(二)技術方案

根據本發明的一個方面，能夠提供一種半導體封裝，其包括：半導體芯片；基板，包括容納所述半導體芯片的容納部和在所述容納部的外側沿上下方向貫穿的導通孔；包封材料，將所述半導體芯片和所述基板一體地塑封；貫穿布線，在所述導通孔的內周面沿上下方向延伸；貫穿部件，容納在所述貫穿布線內部；布線部，包括電連接所述半導體芯片和所述貫穿布線的一側的布線層；以及外部連接部，與所述貫穿布線的另一側電連接，可與外部電連接。

與所述布線層連接的所述貫穿布線的端部可與所述基板的一面設置在同一的平面上。

與所述布線層連接的所述貫穿布線的端部可設置成在+20μm至-20μm的范圍內從所述基板的一面突出或凹陷形成，或者與所述基板的一面設置在同一平面上。