[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201510640718.1
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN105506745B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 黑川雄斗
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: C30B33/04
• 分類號: C30B33/04;C30B29/20
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司11225
• 代理人: 蘇萌萌,范文萍

1.一種方法，其為制造基板的方法，包括：

第一工序，通過向單晶基板照射激光或帶電粒子束，并且以所述單晶基板的表面上的照射區域的軌跡成為直線的條紋狀的方式而使所述照射區域相對于所述單晶基板進行移動，從而沿著所述軌跡而形成非晶區域，

所述第一工序以所述直線的朝向不同的方式而被實施多次，

通過所述第一工序被實施多次，從而使所述單晶基板的翹曲發生變化，

被實施多次的所述第一工序的各次中的所述直線全部不平行于與所述表面平行的平面內的所述單晶基板的晶軸的方向。

2.如權利要求1所述的方法，其中，

在所述第一工序中，在與所述單晶基板的厚度方向上的中央部相比靠第一表面側的區域內形成所述非晶區域，

所述方法還包括第二工序，在所述第二工序中，將半導體基板以加熱狀態粘貼在所述單晶基板上，并且在所述單晶基板的線膨脹系數大于所述半導體基板的線膨脹系數時，將所述半導體基板粘貼在所述單晶基板的所述第一表面的相反側的第二表面上，而在所述單晶基板的線膨脹系數小于所述半導體基板的線膨脹系數時，將所述半導體基板粘貼在所述單晶基板的所述第一表面上。

3.如權利要求2所述的方法，其中，

所述單晶基板的結晶結構為六方晶，

所述第一表面及所述第二表面為c面。

4.如權利要求3所述的方法，其中，

將所述第一工序實施三次，

第一次的所述第一工序中的所述直線與所述單晶基板的a1軸之間的角度為角度X1，第二次的所述第一工序中的所述直線與所述單晶基板的a2軸之間的角度為角度X2，第三次的所述第一工序中的所述直線與所述單晶基板的a3軸之間的角度為角度X3，所述角度X1與所述角度X2之差小于5°，所述角度X2與所述角度X3之差小于5°，所述角度X3與所述角度X1之差小于5°。