[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201510640718.1
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN105506745B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 黑川雄斗
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: C30B33/04
• 分類號: C30B33/04;C30B29/20
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司11225
• 代理人: 蘇萌萌,范文萍

技術領域

本說明書中所公開的技術涉及一種半導體裝置的制造方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種通過向藍寶石(sapphire)基板照射激光而在藍寶石基板內形成改質區域，從而對藍寶石基板的翹曲進行控制的技術。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-165817號公報

發明內容

發明所要解決的課題

當如專利文獻1那樣照射激光從而對基板翹曲進行調節時，存在無法按照預想的那樣對基板的翹曲進行控制的情況。因此，在本說明書中，提供一種能夠更準確地對基板的翹曲進行控制的技術。

用于解決課題的方法

本說明書提供一種制造基板的方法。該方法包括第一工序，在所述第一工序中，通過向單晶基板照射激光或帶電粒子束，并且以所述單晶基板的表面上的照射區域的軌跡成為直線的條紋狀的方式而使所述照射區域相對于所述單晶基板進行移動，從而沿著所述軌跡而形成非晶區域。所述第一工序以所述直線的朝向不同的方式而被實施多次。通過所述第一工序被實施多次，從而使所述單晶基板的翹曲發生變化。被實施多次的所述第一工序的各次中的所述直線全部不平行于與所述表面平行的平面內的所述單晶基板的晶軸的方向。

另外，通過該方法而被制造的基板既可以是僅由單晶基板構成的基板，也可以是在單晶基板上層疊有其他層的層疊基板。

本申請的發明人們發現，在照射區域的軌跡的直線與晶軸平行的情況下和不平行的情況下，翹曲的變化量會產生差異。因此，當照射區域的軌跡中混合存在有與晶軸平行的方向及與晶軸不平行的方向時，根據方向的不同，翹曲的變化量會產生差異，從而無法準確地控制基板的翹曲。與此相對，當如以上所述那樣，被實施多次的所述第一工序的各次中的所述直線全部不平行于與所述第一表面平行的平面內的所述單晶基板的晶軸的方向時，能夠穩定地控制翹曲的變化量。

附圖說明

圖1為支承板10的立體圖。

圖2為非晶區域形成工序中的支承板10的剖視圖。

圖3為非晶區域形成工序后的支承板10的剖視圖。

圖4為實施方式的軌跡31～32的說明圖。

圖5為比較例的軌跡41～42的說明圖。

圖6為表示通過比較例的方法而產生了翹曲的支承板10的上表面10a的等高線的圖。

圖7為表示通過實施方式的方法而產生了翹曲的支承板10的上表面10a的等高線的圖。

圖8為粘合劑50的涂布后的支承板10的剖視圖。

圖9為層疊基板70的剖視圖。

圖10為層疊基板70的剖視圖。

圖11為改變例的非晶區域形成工序中的支承板10的剖視圖。

圖12為改變例的軌跡的說明圖。

圖13為改變例的粘貼工序后的層疊基板70的剖視圖。

圖14為改變例的非晶區域形成工序后的層疊基板70的剖視圖。

具體實施方式

在本實施方式的半導體裝置在制造方法中，將半導體晶片粘貼在支承板上從而對半導體晶片進行加強，針對被加強的半導體晶片來實施加工。圖1圖示了本實施方式的方法中所使用的支承板10。支承板10通過藍寶石的單晶而被構成。藍寶石的結晶結構為六方晶。支承板10具有圓盤形狀。支承板10的厚度方向與六方晶的c軸一致。因此，支承板10的上表面10a及下表面10b與六方晶的c面一致。即，六方晶的a1軸、a2軸及a3軸與上表面10a及下表面10b平行。a1軸與a2軸之間的角度為120°，a2軸與a3軸之間的角度為120°，a3軸與a1軸之間的角度為120°。在本實施方式中，支承板10(即，藍寶石)的線膨脹系數為5.2ppm/K。支承板10為大致透明。以下，對使用了支承板10的半導體裝置的制造方法進行說明。

(非晶區域形成工序)

首先，如圖2所示，朝向支承板10的上表面10a照射激光20。在此，利用光學系統而在支承板10的內部形成激光20的焦點。更詳細而言，在與支承板10的厚度方向上的中央部10c相比靠上表面10a側的區域10d內形成激光的焦點。此外，通過飛秒激光裝置等短脈沖激光裝置照射激光20。此外，以與飛秒相比較長的預定的時間間隔而間歇地照射激光20。此外，在間歇地照射激光20的同時，使支承板10相對于激光照射裝置而進行移動。使支承板10在沿著其上表面10a的方向上進行移動。