[發(fā)明專利]基于低壓等離子化學(xué)氣相沉積制備納米多層膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510638661.1 | 申請日： | 2015-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN105220130B | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 梁磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 佛山市思博睿科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528226 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 低壓 等離子 化學(xué) 沉積 制備 納米 多層 方法 | ||
1.基于低壓等離子化學(xué)氣相沉積制備納米多層膜的方法，其特征在于，所述方法步驟如下：a.往多個反應(yīng)腔內(nèi)放置基體工件，對反應(yīng)腔進行抽真空，使反應(yīng)腔內(nèi)高度真空，真空度達到0.1-0.5mbar；
b.抽真空后向反應(yīng)腔內(nèi)注入氧氣，開啟微波源，微波源產(chǎn)生2.45GHz的高頻電磁波通過ECR微波電子回旋共振，三銷釘調(diào)配器后，微波能量被平均分配到每個反應(yīng)腔內(nèi)，起輝電離氧分子，高能氧離子撞擊基體表面并加熱基體，氧離子對基體進行表面活性化處理及潔凈化處理；
c.保持氧氣的供給，將TiCl4氣體連續(xù)不停地注入反應(yīng)腔內(nèi)，電離氧分子和TiCl4，在基體表面產(chǎn)生等離子體，等離子體中的Ti離子和氧離子在基體表面合成TiO2，形成TiO2薄膜，控制反應(yīng)時間來控制TiO2薄膜厚度，反應(yīng)得到的副產(chǎn)物以及多余的氧氣和TiCl4被排走；
d.停止TiCl4氣體的供給，改為向反應(yīng)腔內(nèi)連續(xù)供給六甲基二硅氧烷氣體，電離氧分子和六甲基二硅氧烷，在基體表面產(chǎn)生等離子體，等離子體中的硅離子和氧離子在基體表面結(jié)合成SiO2，形成SiO2薄膜，控制反應(yīng)時間來控制SiO2薄膜厚度，反應(yīng)得到的副產(chǎn)物以及多余的氧氣和六甲基二硅氧烷被排走；
e.重復(fù)c和d步驟，就可以在基體表面交替沉積多層TiO2和SiO2薄膜。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
