[發明專利]處理載體的方法、操作處理腔的方法和處理晶圓的方法

有效

• 申請號: 201510634108.0
• 申請日: 2015-09-29
• 公開（公告）號: CN105470110B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: M·倫納;L·布倫徹
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/027;H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

本公開的各種實施例涉及處理載體的方法、操作處理腔的方法和處理晶圓的方法。根據各種實施例，處理載體的方法可以包括：在處理腔內執行干法蝕刻處理，以通過蝕刻劑從載體去除第一材料，處理腔包括暴露的內表面，內表面包括鋁且蝕刻劑包括鹵素；以及隨后在處理腔中執行氫等離子體處理，以從載體或處理腔的內表面中的至少一個去除第二材料。

技術領域

多個實施例一般地涉及處理載體的方法、操作等離子體處理腔的方法和處理半導體晶圓的方法。

背景技術

通常，如用于制造集成電路的半導體處理可以包括各種技術中的多種處理，通常包括分層、圖案化、摻雜和/或退火。用于在半導體處理期間從載體去除材料的處理可包括干法蝕刻，例如等離子體蝕刻、離子束研磨或反應離子蝕刻(RIE)。等離子體處理，例如反應離子蝕刻，可在處理腔(如離子處理腔)內執行。可由等離子體形成氣體(如氣態蝕刻劑或反應氣體)通過電感耦合等離子體(ICP)源或通過電容耦合等離子體(CCP)源提供等離子體。

發明內容

根據多個實施例，處理載體的方法可包括：在處理腔中通過蝕刻劑執行干法蝕刻處理以從載體去除第一材料；處理腔包括暴露的內表面，其包括鋁且蝕刻劑包括鹵素；以及隨后，在處理腔內執行氫等離子體處理以從載體或處理腔的內表面中的至少一個去除第二材料。

附圖說明

在附圖中，不同視圖中的相同參考標記一般指代相同部件。附圖不一定按比例繪制，而通常為說明本發明的原理而加以強調。在下文描述中，本發明的各種實施例參考附圖而被描述，其中：

圖1示出用于蝕刻鈦層和在蝕刻后去除抗蝕劑掩模的通常處理的示意流程圖以及處理期間可能發生的化學反應；

圖2示出根據各種實施例的處理載體的方法示意性流程圖；

圖3示出根據各種實施例的蝕刻鈦層并在蝕刻后從載體去除抗蝕劑掩模的方法的示意性流程圖和處理中可能發生的化學反應；

圖4示出根據各種實施例的用于操作等離子體處理腔的方法的示意性流程圖；

圖5示出根據各種實施例的用于處理半導體晶圓的方法的示意性流程圖；以及

圖6示出根據各種實施例的等離子體處理腔的示意性側視圖或截面圖。

具體實施方式

下文詳細描述參考附圖，附圖通過說明方式顯示了本發明可被在其中實踐的具體細節和實施例。

詞語“示例性”在此用于表示“作為示例、實例或說明”。本文作為“示例性”描述的任何實施例或設計相對其它實施例或示例不是必須構成優選的或有益的。

關于沉積材料形成在側面或表面“之上”所使用的詞語“之上”，在本文中可被用于表示沉積材料相對于所指的側面和表面可“直接在上面”形成，如與所指的側面和表面直接接觸。關于沉積材料形成在側面或表面“之上”所使用的詞語“之上”，在本文中可被用于表示沉積材料相對于所指的側面和表面可“間接在上面”形成，并且一個或多個額外的層被設置在所指的側面或表面和沉積材料之間。

根據各種實施例，至少一個集成電路結構(或至少一個集成電路)可形成為在載體上或載體內中的至少一種。載體可為半導體載體，如半導體晶圓，如半導體襯底，或半導體工件，或者載體可以是任何適合的載體，包括由半導體材料制成的至少一個區域。