[發(fā)明專利]處理載體的方法、操作處理腔的方法和處理晶圓的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510634108.0
• 申請日: 2015-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN105470110B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·倫納;L·布倫徹
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/027;H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種處理載體的方法，所述方法包括：

在處理腔的處理區(qū)域中通過蝕刻劑執(zhí)行干法蝕刻處理，以由蝕刻劑從所述載體去除第一材料，所述處理腔包括暴露的內(nèi)表面，所述暴露的內(nèi)表面包括鋁，且所述蝕刻劑包括鹵素；以及，隨后，

在所述處理腔的同一處理區(qū)域中執(zhí)行氫等離子體灰化處理，由此從所述載體剝離抗蝕劑掩膜，

其中所述氫等離子體處理沒有氧。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括下述材料組中的至少一種材料，所述組由：

金屬；類金屬，金屬合金；

金屬氮化物；類金屬氮化物；

金屬氧化物；類金屬氧化物；

金屬氮氧化物；類金屬氮氧化物；

金屬碳化物；類金屬碳化物組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鹵素包括下述鹵素組中的至少一種鹵素，所述組由氟；氯；溴；以及碘組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻劑包括鹵素化合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鹵素的一部分在所述干法蝕刻處理期間與所述抗蝕劑化學(xué)反應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理腔的內(nèi)表面的一部分與所述鹵素化學(xué)反應(yīng)形成鋁鹵化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在執(zhí)行所述氫等離子體灰化處理以從所述處理腔去除殘留蝕刻劑之前通過凈化氣體凈化所述處理腔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述干法蝕刻處理包括通過RF等離子體源由所述蝕刻劑提供等離子體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氫等離子體灰化處理包括通過RF等離子體源由含氫氣體提供等離子體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述含氫氣體包括氫氣。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過所述氫等離子體灰化處理從所述處理腔去除由所述干法蝕刻處理產(chǎn)生的在所述處理腔的內(nèi)側(cè)壁處的氣態(tài)形式的沉淀物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在所述干法蝕刻處理期間和所述氫等離子體灰化處理期間將所述處理腔抽真空。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述載體包括半導(dǎo)體晶圓。

14.一種操作等離子體處理腔的方法，所述方法包括：

在等離子體處理腔內(nèi)安放載體，所述載體包括第一材料的在第一等離子體處理中待從所述載體去除的至少一部分；以及所述載體進(jìn)一步包括在第二等離子體處理中待從所述載體去除的抗蝕劑層；以及隨后

在所述等離子體處理腔內(nèi)執(zhí)行所述第一等離子體處理以提供第一等離子體，由此去除所述第一材料的所述至少一部分，其中所述等離子體處理腔包括暴露的內(nèi)表面，所述暴露的內(nèi)表面包括鋁，且所述第一等離子體由含鹵素氣體提供；以及，隨后，

在所述等離子體處理腔內(nèi)原位執(zhí)行第二等離子體處理以提供第二等離子體，由此去除所述抗蝕劑層，其中所述第二等離子體由氣態(tài)氫提供，其中所述第二等離子體處理沒有氧。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一材料包括金屬氮化物，其中所述第一等離子體由含氯氣體提供，并且其中所述抗蝕劑層包括圖案化光致抗蝕劑。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一等離子體處理包括：

將所述含鹵素氣體引入所述等離子體處理腔；

激活等離子體源以由所引入的含鹵素氣體形成所述第一等離子體；

去激活所述等離子體源；以及

從所述等離子體處理腔去除殘留的所述含鹵素氣體。