[發明專利]一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201510634015.8 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN105274503A | 公開(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發明(設計)人: | 李遠剛;馮娟;李華靜;張卓;楊淑麗;史永宏;魏小亮;王榮榮 | 申請(專利權)人: | 西安科技大學 |
| 主分類號: | C23C18/16 | 分類號: | C23C18/16;C25B11/04 |
| 代理公司: | 西安創知專利事務所 61213 | 代理人: | 譚文琰 |
| 地址: | 710054 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化鎢 納米 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、將六氯化鎢溶解于無水乙醇中,攪拌均勻后得到前驅體溶液;所述前驅體溶液中六氯化鎢的摩爾濃度為5mmol/L~60mmol/L;
步驟二、采用滴涂法將5μL~100μL步驟一中所述前驅體溶液滴涂于襯底表面并吹干,再將所述襯底在溫度為80℃~150℃的條件下熱處理3min~5min后冷卻至室溫;
步驟三、重復步驟二,直至所述襯底表面得到膜層;
步驟四、將步驟三中所述膜層加熱至400℃~550℃高溫煅燒2h~6h,高溫煅燒后在襯底表面得到三氧化鎢納米薄膜。
2.按照權利要求1所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,步驟四中所述高溫煅燒的升溫速率為6℃/min~10℃/min。
3.按照權利要求1所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,步驟四中所述高溫鍛造的溫度為400℃~450℃,時間為4h~5h。
4.按照權利要求3所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,所述高溫鍛造的溫度為450℃,時間為4h。
5.按照權利要求1所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,步驟一所述前驅體溶液中六氯化鎢的摩爾濃度為30mmol/L~50mmol/L。
6.按照權利要求5所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,所述前驅體溶液中六氯化鎢的摩爾濃度為40mmol/L。
7.按照權利要求1所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,步驟二所述滴涂法的過程中采用微量移液器吸取所述前驅體溶液。
8.按照權利要求1所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,步驟二中所述襯底為FTO導電玻璃。
9.按照權利要求1所述的一種三氧化鎢納米薄膜的制備方法,其特征在于,步驟四中所述三氧化鎢納米薄膜的厚度為200nm~5000nm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





