[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201510633205.8
• 申請日: 2015-09-29
• 公開（公告）號: CN105655345B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 金成手;金榮柱;申美姬;金珉鏡
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/60;G02F1/1333
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

提出了一種液晶顯示裝置及其制造方法。根據本發明一實施方式，提供了一種液晶顯示裝置，所述顯示裝置包括：依次設置于基板上的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層。所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括單孔橋接觸部，所述單孔橋接觸部用于一次暴露所述第一金屬層的一部分和所述第二金屬層的一部分。所述第三金屬層實現為通過所述單孔橋接觸部與所述第一金屬層和所述第二金屬層接觸。

本申請要求2014年11月27日提交的韓國專利申請No.10-2014-0167353的優先權，在此援引該申請的全部內容作為參考。

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，尤其涉及一種通過減少使用氧化物半導體的靜電放電保護電路中的接觸孔數量而將邊框區域最小化的液晶顯示裝置及其制造方法。

背景技術

液晶顯示(LCD)裝置是指包括設置有液晶層的LCD面板的顯示裝置。通過針對來自諸如背光單元之類的光源的光調節LCD面板的透射率來驅動LCD裝置。對于具有較高分辨率和低功耗、以及具有較小厚度的最小化邊框的LCD裝置的需求近來增大。

根據用于薄膜晶體管的有源層的材料，LCD裝置中的薄膜晶體管分為使用非晶硅的薄膜晶體管、使用多晶硅或低溫多晶硅(LTPS)的薄膜晶體管、以及使用氧化物半導體的薄膜晶體管。

與使用非晶硅的薄膜晶體管相比，使用氧化物半導體的薄膜晶體管具有高電子遷移率和相當低的漏電流。與使用非晶硅的薄膜晶體管相比，使用氧化物半導體的薄膜晶體管可靠性也較高。因而，已對使用氧化物半導體的液晶顯示裝置進行了積極研究。

氧化物半導體的特性，特別是高電子遷移率可能導致邊框區域的增大。具體地說，在液晶顯示(LCD)裝置的邊框區域中設置有靜電放電(ESD)保護電路。如果氧化物半導體用于組成ESD保護電路的薄膜晶體管，則當從外部引入靜電時，由于氧化物半導體的高電子遷移率，使得ESD保護電路中流動的電流增大，因而功耗增大。為了抑制使用氧化物半導體的ESD保護電路的功耗增大，期望的是將薄膜晶體管設計為具有比使用不同半導體材料的薄膜晶體管的溝道長的溝道。當與使用不同半導體材料的薄膜晶體管的情形相比時，使用氧化物半導體材料的薄膜晶體管增大了ESD保護電路區域的尺寸。因而，LCD裝置中的邊框區域的尺寸增大。

已對如何降低LCD裝置的制造成本進行了大量研究。為了降低LCD裝置的制造成本，試圖減少LCD裝置的掩模。

LCD裝置包括多個層，所述多個層包括導電層和絕緣層。導電層通過形成在絕緣層中的接觸孔彼此電連接。如果減少在制造LCD裝置時使用的掩模數量，則可能不會在期望位置處形成接觸孔。為了彌補這種減少帶來的影響，可增加接觸孔的數量，且導電層可通過連接接觸孔的橋結構彼此連接。例如，導電層“A”和導電層“B”能夠彼此連接。如果由于掩模減少而不能形成用于導電層“A”與導電層“B”之間的直接接觸的接觸孔，則可使用橋結構。此橋結構配置成利用導電層“C”將暴露導電層“A”的接觸孔和暴露導電層“B”的接觸孔連接。然而，如果使用這種橋結構，則接觸孔的數量增加且需要確保多個接觸孔之間的區域。因此，LCD裝置中的邊框區域進一步增大。

因為上述ESD保護電路是通過使用其中源極電極或漏極電極與柵極電極連接的多個薄膜晶體管實現的，所以需要用于將柵極電極與源極電極或漏極電極電連接的接觸孔。然而，如果減少在制造LCD裝置時使用的掩模數量，則不能形成用于柵極電極與源極電極或漏極電極之間的直接接觸的接觸孔。因此，需要占據更大面積的橋結構。

如果通過采用使用氧化物半導體的薄膜晶體管實現ESD保護電路，則由于溝道，邊框不可避免地增大。因為由于所使用的掩模數量的減少而采用橋結構，所以邊框區域的尺寸進一步增大。

因此，如果采用使用氧化物半導體的薄膜晶體管且為了降低制造成本而減少掩模數量，則很難實現具有窄邊框區域的LCD裝置。

發明內容