[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201510633205.8 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN105655345B | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 金成手;金榮柱;申美姬;金珉鏡 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/60;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
位于基板上的邊框區域中的第一薄膜晶體管;以及
與所述第一薄膜晶體管相鄰的第二薄膜晶體管,
每個薄膜晶體管包括:
依次設置于所述基板上的第一金屬層、第一絕緣層、有源層、第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層,
其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括單孔橋接觸部,所述單孔橋接觸部用于在一個孔中暴露所述第一金屬層的一部分和所述第二金屬層的一部分,
其中所述第三金屬層通過所述單孔橋接觸部與所述第一金屬層和所述第二金屬層接觸,且
其中所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管配置為共用所述第一金屬層,
其中所述第三金屬層連續地形成并且在所述單孔橋接觸部內與所述有源層接觸。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述第一金屬層和所述第二金屬層通過所述第一絕緣層的第一接觸孔和所述第二絕緣層的第二接觸孔的其中之一電連接,且
其中所述單孔橋接觸部是這樣的結構:其中減少了用于形成所述第一絕緣層或所述第二絕緣層的接觸孔的掩模數量的增加并且減小了由所述第一接觸孔和所述第二接觸孔導致的設計區域的增大。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中所述單孔橋接觸部應用于靜電放電保護電路,所述靜電放電保護電路包括位于所述顯示裝置的邊框區域中的含有氧化物半導體的薄膜晶體管。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中通過應用所述單孔橋接觸部的結構,所述靜電放電保護電路的尺寸實現為不大于具有等效靜電放電性能且包括含有非晶硅的薄膜晶體管的靜電放電保護電路的尺寸。
5.一種液晶顯示裝置,包括:
基板,所述基板包括有源區域和圍繞所述有源區域的邊框區域,所述邊框區域包括薄膜晶體管;
位于所述基板上的邊框區域中的第一金屬層;
位于所述第一金屬層上的第一絕緣層,所述第一絕緣層包括用于暴露所述第一金屬層的部分頂側的第一開口;
與所述第一金屬層交疊的第二金屬層;
位于所述第二金屬層上的第二絕緣層,所述第二絕緣層包括用于暴露所述第一金屬層的部分頂側以及所述第二金屬層的部分頂側的第二開口;和
導電層,所述導電層在所述第二絕緣層中的第二開口內與所述第一金屬層的所暴露的部分頂側以及所述第二金屬層的所暴露的部分頂側接觸,
其中所述薄膜晶體管包括含有氧化物半導體的有源層、柵極電極、源極電極和漏極電極,其中所述第一金屬層位于與所述柵極電極相同的水平面上,所述第二金屬層位于與所述源極電極和所述漏極電極相同的水平面上,所述第二絕緣層是配置成使所述薄膜晶體管的上部變平坦的平坦化層,并且
其中所述第一金屬層從所述柵極電極延伸,且
所述第二金屬層從所述源極電極和所述漏極電極的其中之一延伸,
其中所述導電層連續地形成在所述第二絕緣層中的第二開口和所述第一絕緣層中的第一開口內,并且所述導電層在所述第一開口內與所述有源層接觸。
6.根據權利要求5所述的液晶顯示裝置,還包括:
位于所述邊框區域中的靜電放電保護電路,
其中所述靜電放電保護電路包括所述薄膜晶體管。
7.根據權利要求6所述的液晶顯示裝置,還包括:
第一線,所述第一線位于與所述第二金屬層相同的水平面上;
第二線,所述第二線位于與所述第二金屬層相同的水平面上且至少部分地與所述第一線平行;和
第三線,所述第三線位于與所述第一金屬層相同的水平面上且與所述第一線和所述第二線交叉,
其中所述靜電放電保護電路位于所述第一線與所述第二線之間,且
其中所述薄膜晶體管位于所述第一線和所述第二線與所述第三線交叉的部分處。
8.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置,其中所述第一金屬層與所述柵極電極和所述第三線連接,且
其中所述第二金屬層與所述源極電極和所述漏極電極的其中之一連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510633205.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





