[發(fā)明專利]一種TFT基板、TFT開關(guān)管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510629335.4
• 申請日: 2015-09-28
• 公開（公告）號: CN105185715B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石龍強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/42;H01L21/44;H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種TFT開關(guān)管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上設(shè)置柵極層，其中，所述柵極層包括中間區(qū)域和分別位于所述中間區(qū)域兩側(cè)的側(cè)區(qū)域；

對所述側(cè)區(qū)域的至少一部分沿著所述柵極層的厚度方向進(jìn)行薄型化處理，以形成兩薄型化區(qū)域，所述薄型化區(qū)域的厚度小于所述中間區(qū)域的厚度；

在所述柵極層的上方設(shè)置半導(dǎo)體層,所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)為銦鎵鋅氧化合物；

在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置源極層和漏極層，其中所述源極層和漏極層分別與所述半導(dǎo)體層接觸的區(qū)域分別對應(yīng)兩所述薄型化區(qū)域，使得背光源的光能夠通過所述薄型化區(qū)域后照射到所述半導(dǎo)體層中，從而使所述半導(dǎo)體層與所述源極層和漏極層之間形成歐姆接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極層的上方設(shè)置半導(dǎo)體層的步驟之前進(jìn)一步包括：

在所述柵極層上設(shè)置柵極絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上設(shè)置柵極層的步驟進(jìn)一步包括：

通過物理氣相沉積的方法在所述基板上設(shè)置一金屬層；

對所述金屬層進(jìn)行光刻、蝕刻以及脫膜工藝，以形成所述柵極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述側(cè)區(qū)域的至少一部分沿著所述柵極層的厚度方向進(jìn)行薄型化處理的步驟進(jìn)一步包括：

對所述側(cè)區(qū)域的至少一部分進(jìn)行光刻、蝕刻以及脫膜工藝，以形成所述薄型化區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極層的上方設(shè)置半導(dǎo)體層的步驟進(jìn)一步包括：

通過物理氣相沉積的方法在所述柵極絕緣層上設(shè)置一銦鎵鋅氧化合物層；

對所述銦鎵鋅氧化合物層進(jìn)行光刻、蝕刻以及脫膜工藝，以形成所述半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層對應(yīng)所述薄型化區(qū)域和中間區(qū)域設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置源極層和漏極層的步驟進(jìn)一步包括：

通過物理氣相沉積的方法在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置一金屬層；

對所述金屬層進(jìn)行光刻、蝕刻以及脫膜工藝，以形成所述源極層和漏極層，并且所述源極層和所述漏極層與所述半導(dǎo)體層接觸的區(qū)域分別對應(yīng)兩所述薄型化區(qū)域。

7.一種TFT開關(guān)管，其特征在于，所述TFT開關(guān)管包括：

基板；

柵極層，設(shè)置在所述基板上，其中，所述柵極層包括中間區(qū)域和分別位于所述中間區(qū)域兩側(cè)的側(cè)區(qū)域，所述側(cè)區(qū)域的至少一部分沿著所述柵極層的厚度方向進(jìn)行薄型化處理，以形成兩薄型化區(qū)域，所述薄型化區(qū)域的厚度小于所述中間區(qū)域的厚度；

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)為銦鎵鋅氧化合物，設(shè)置在所述柵極層的上方；

源極層和漏極層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上，其中所述源極層和漏極層分別與所述半導(dǎo)體層接觸的區(qū)域分別對應(yīng)兩所述薄型化區(qū)域，使得背光源的光能夠通過所述薄型化區(qū)域后照射到所述半導(dǎo)體層中，從而使所述半導(dǎo)體層與所述源極層和漏極層之間形成歐姆接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT開關(guān)管，其特征在于，所述TFT開關(guān)管進(jìn)一步包括：

柵極絕緣層，設(shè)置在所述柵極層和所述半導(dǎo)體層之間。

9.一種TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括如權(quán)利要求7-8任一項所述的TFT開關(guān)管。