[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510625592.0
• 申請(qǐng)日: 2015-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN105185791A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田允允;崔賢植;嚴(yán)允晟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫之剛;景軍平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示（TFT-LCD）技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，液晶顯示器的生產(chǎn)成本持續(xù)降低并且制造工藝日益完善，因而已經(jīng)取代陰極射線管顯示器而成為平板顯示領(lǐng)域中的主流技術(shù)。TFT-LCD顯示器因其本身所具有的體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)而成為理想的顯示裝置。

目前，TFT-LCD按照顯示模式可以分為：扭曲向列（TN，TwistedNematic）類型、平面轉(zhuǎn)換（IPS，InPlaneSwitching）類型和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)（ADS，AdvancedSuperDimensionSwitch）類型。其中，ADS類型TFT-LCD通常通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)來形成多維電場(chǎng)，使得在液晶盒內(nèi)的狹縫電極之間和電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并且增大了透光效率。ADS技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，使得顯示裝置具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（pushMura）等優(yōu)點(diǎn)。

圖1圖示了現(xiàn)有技術(shù)ADS型陣列基板的橫截面示意圖。如圖1所示，從下至上，陣列基板依次包括同層布置的像素電極3、薄膜晶體管的柵極和公共電極線圖形（未示出）、柵極絕緣層7、鈍化層8、薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線圖形5，以及公共電極2。相應(yīng)地，現(xiàn)有ADS型陣列基板的制作方法一般包括：在透明基板上形成同層布置的像素電極、薄膜晶體管的柵極和公共電極線圖形；形成柵極絕緣層；形成有源層圖形；形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線圖形；形成鈍化層；以及在鈍化層上方形成公共電極。

圖1中所示的陣列基板中所存在的問題在于，如圖2所示，與薄膜晶體管的柵極1同層布置的公共電極線4和像素電極3二者連接不同的信號(hào)線，因此在二者之間需要存在一定間隔d以保證公共電極線4和像素電極3中的信號(hào)之間沒有串?dāng)_。公共電極線4和像素電極3之間的間隔降低了對(duì)應(yīng)部分的液晶的工作效率，進(jìn)而降低了像素的透過率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種使用在ADS類型TFT-LED中的陣列基板及其制作方法，其能夠至少部分地緩解或消除現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種陣列基板，包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線以及由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉定義的多個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層、布置在柵極絕緣層一側(cè)上的鈍化層、像素電極和公共電極，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間，公共電極布置在與鈍化層相對(duì)的柵極絕緣層的另一側(cè)上，像素電極布置在鈍化層上。

相比于上述現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板，在本發(fā)明所提供的陣列基板中，通過將像素電極和公共電極的位置互換，像素電極與公共電極線不再同層布置，因此消除了在像素電極與公共電極線之間設(shè)置間隔以保證二者之間沒有串?dāng)_的需要。所述間隔的消除提升了液晶的工作效率，進(jìn)而提升了像素的透過率。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，上述陣列基板還可以包括與像素電極同層布置并且位于數(shù)據(jù)線上方的屏蔽電極。

在向數(shù)據(jù)線施加電壓的情況下，由數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線上方及兩側(cè)的液晶分子無法有效偏轉(zhuǎn)，從而造成漏光的問題。為了解決這一問題，可以在數(shù)據(jù)線上方形成屏蔽電極，用于屏蔽數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的電場(chǎng)，從而防止該電場(chǎng)影響液晶分子的有效偏轉(zhuǎn)。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，相比于在沒有屏蔽電極的情況下的至少18-28μm寬的黑矩陣，在存在屏蔽電極的情況下，黑矩陣的寬度可以減小到6-8μm，從而極大地提高顯示裝置的開口率。

根據(jù)另一實(shí)施例，公共電極可以具有矩陣結(jié)構(gòu)，所述公共電極包括多個(gè)子公共電極，并且每一個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)于一個(gè)子公共電極。可選地，公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過公共電極線連接，公共電極與公共電極線直接接觸電連接。并且可選地，公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在平行于數(shù)據(jù)線的方向上通過連接電極連接，所述連接電極與公共電極設(shè)置于不同層，并且所述連接電極分別與相鄰的子公共電極通過過孔連接。具體地，所述過孔制作在柵極絕緣層和鈍化層中。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，屏蔽電極在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過屏蔽電極連接線相互連接，其中屏蔽電極與屏蔽電極連接線由相同材料形成。