[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510625592.0
• 申請日: 2015-09-28
• 公開（公告）號: CN105185791A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田允允;崔賢植;嚴(yán)允晟
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫之剛;景軍平

1.一種陣列基板，包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線、以及由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉定義的多個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層、布置在柵極絕緣層一側(cè)上的鈍化層、像素電極和公共電極，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間，公共電極布置在與鈍化層相對的柵極絕緣層的另一側(cè)上，像素電極布置在鈍化層上，其中所述陣列基板還包括與像素電極同層布置并且位于數(shù)據(jù)線上方的屏蔽電極。

2.權(quán)利要求1的陣列基板，其中公共電極具有矩陣結(jié)構(gòu)，所述公共電極包括多個(gè)子公共電極，并且每一個(gè)像素單元對應(yīng)于一個(gè)子公共電極。

3.權(quán)利要求2的陣列基板，其中公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過公共電極線連接，公共電極與公共電極線直接接觸電連接。

4.權(quán)利要求3的陣列基板，其中公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在平行于數(shù)據(jù)線的方向上通過連接電極連接，所述連接電極與所述公共電極設(shè)置于不同層，并且所述連接電極分別與相鄰的子公共電極通過過孔連接。

5.權(quán)利要求1的陣列基板，其中屏蔽電極在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上，通過屏蔽電極連接線相互連接，其中屏蔽電極與屏蔽電極連接線由相同材料形成。

6.權(quán)利要求1的陣列基板，其中屏蔽電極和公共電極連接相同的公共電極線。

7.權(quán)利要求1的陣列基板，其中屏蔽電極與公共電極相互電絕緣，并且連接不同的公共電極線。

8.權(quán)利要求1的陣列基板，其中陣列基板還包括與像素電極對應(yīng)的像素金屬電極，在像素電極和像素金屬電極之間存在絕緣層，并且像素電極與像素金屬電極通過絕緣層中的過孔相互連接。

9.權(quán)利要求1的陣列基板，其中像素電極為狹縫電極，并且公共電極為板狀電極。

10.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的陣列基板。

11.一種用于制作陣列基板的方法，包括以下步驟：

在襯底基板上形成包括薄膜晶體管的柵極、公共電極和公共電極線的圖形；

形成柵極絕緣層；

形成薄膜晶體管的有源層；

形成包括薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；

形成鈍化層，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間；

在鈍化層上形成像素電極；以及

在鈍化層上形成屏蔽電極，其中屏蔽電極與像素電極同層布置并且位于數(shù)據(jù)線上方。

12.權(quán)利要求11的方法，還包括在像素電極上方形成像素金屬電極，像素電極與像素金屬電極之間存在絕緣層，并且像素電極與像素金屬電極通過絕緣層中的過孔相連。