[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510616487.0
• 申請(qǐng)日: 2015-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN105355629B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳偉績(jī);王磊;鄭焜泰;賴大琪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，其中，所述陣列基板包括基板；位于所述基板上的柵電極和半導(dǎo)體層；覆蓋所述柵電極及所述半導(dǎo)體層的層間絕緣層；位于所述層間絕緣層上的源電極和漏電極；所述層間絕緣層包括沿垂直于基板由下到上方向依次設(shè)置的第一氮化硅層、第二氮化硅層和第一氧化硅層；所述第一氮化硅層的氫原子百分含量大于所述第二氮化硅層的氫原子百分含量。本發(fā)明避免所述第一氮化硅層和所述第一氧化硅層界面產(chǎn)生的大量缺陷及殘留電荷，從而提高TFT電性，提高顯示品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)在液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光顯示裝置等平板顯示技術(shù)領(lǐng)域得到了非常廣泛的應(yīng)用，以主動(dòng)矩陣(active matrix)式液晶顯示裝置為例，TFT是作為液晶顯示裝置中液晶顯示面板的像素開關(guān)元件。其中，TFT具有一柵電極、一漏電極、一源電極及一半導(dǎo)體層，柵電極與柵極線電連接并受其控制而開啟，源電極與數(shù)據(jù)線電連接以接收信號(hào)，而漏電極與像素電極電連接，用以改變液晶顯示面板的每個(gè)像素的穿透率而達(dá)到控制灰階亮度的目的。

請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板100的局部剖面圖。所述陣列基板100包括基板10，以及在垂直于所述基板10的方向上依次設(shè)置的緩沖層11、多晶硅層120、柵極絕緣層13、柵電極15、層間絕緣層14。所述層間絕緣層14包括第一氮化硅層141及第一氧化硅層142，其中。其中，所述第一氮化硅層141中氫原子百分含量較高，活化時(shí)給多晶硅提供氫原子，主要起氫化作用，提高多晶硅遷移率；所述第一氧化硅層142的相對(duì)介電常數(shù)較低，可以降低柵線和數(shù)據(jù)線的耦合電容。

然而，在現(xiàn)有技術(shù)中在所述第一氮化硅層141上沉積所述第一氧化硅層142，由于氫鍵鍵能較低，容易斷裂，因此在所述第一氮化硅層141與所述第一氧化硅層142的界面交界處，容易形成Si-O鍵、H₂O、析出H₂，形成缺陷或者懸掛鍵，該缺陷和懸掛鍵會(huì)產(chǎn)生電荷，或者在受到外電場(chǎng)作用時(shí)誘發(fā)產(chǎn)生和存儲(chǔ)電荷，形成電荷累積層。

除此之外，請(qǐng)參考圖1，所述柵電極15正下方以外的所述多晶硅層120上方會(huì)殘留一層所述柵極絕緣層13，所述層間絕緣層14沉積于所述柵極絕緣層13之上。所述柵極絕緣層13為氧化硅，氧化硅的能帶寬Eg≈9ev，氮化硅的能帶寬度Eg≈3～5ev。因此，所述柵極絕緣層13、所述第一氮化硅層141及所述第一氧化硅層142之間，形成勢(shì)壘-勢(shì)阱-勢(shì)壘結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)下容易存在以下問題，其一，如果所述第一氮化硅層141內(nèi)有缺陷或電荷殘留，電荷會(huì)在勢(shì)阱內(nèi)積累，即使高溫退火也很難法消除；其二，在成膜、蝕刻、清洗等過程中，外加電場(chǎng)容易引入電荷，并儲(chǔ)存在所述第一氮化硅層141內(nèi)。上述問題將會(huì)對(duì)TFT特性產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，從而使顯示品質(zhì)下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一陣列基板、顯示面板及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中層間絕緣層的氮化硅層中電荷殘留且難以去除，從而影響TFT特性，使顯示品質(zhì)下降的問題。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的柵電極和半導(dǎo)體層；

覆蓋所述柵電極及所述半導(dǎo)體層的層間絕緣層；

位于所述層間絕緣層上的源電極和漏電極；

所述層間絕緣層包括沿垂直于基板由下到上方向依次設(shè)置的第一氮化硅層、第二氮化硅層和第一氧化硅層；

所述第一氮化硅層的氫原子百分含量大于所述第二氮化硅層的氫原子百分含量。

第二方面，發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括：相對(duì)設(shè)置的對(duì)置基板和上述實(shí)施例所述的陣列基板。