[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510616487.0
• 申請日: 2015-09-25
• 公開（公告）號: CN105355629B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 陳偉績;王磊;鄭焜泰;賴大琪
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上的柵電極和半導體層；

覆蓋所述柵電極及所述半導體層的層間絕緣層；

位于所述層間絕緣層上的源電極和漏電極；

所述層間絕緣層包括沿垂直于基板由下到上方向依次設置的第一氮化硅層、第二氮化硅層和第一氧化硅層；

所述第一氮化硅層的氫原子百分含量大于所述第二氮化硅層的氫原子百分含量。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述基板與所述柵電極和半導體層之間，還包括設置于所述基板上的緩沖層；

所述半導體層設置于所述緩沖層上；

覆蓋所述半導體層和所述緩沖層的柵極絕緣層；

所述柵電極設置于所述柵極絕緣層上。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設置有第一過孔與第二過孔，所述源電極和所述漏電極分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述半導體層電連接。

4.根據權利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第一氮化硅層中的氫原子百分含量大于23％。

5.根據權利要求4所述陣列基板，其特征在于，所述第二氮化硅層中的氫原子百分含量大于等于3％，且小于等于23％。

6.根據權利要求5所述陣列基板，其特征在于，所述第二氮化硅層的膜層厚度大于等于30納米，且小于等于200納米。

7.根據權利要求1-6任一所述陣列基板，其特征在于，所述層間絕緣層還包括第三氮化硅層，設置于所述第一氧化硅層上。

8.根據權利要求7所述陣列基板，其特征在于，所述第三氮化硅層的相對介電常數大于等于6.5。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括相對設置的對置基板和陣列基板，所述陣列基板為權利要求1-8任一項所述的陣列基板。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的顯示面板。