[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

有效

• 申請號: 201510599007.4
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN105448662B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 藤原直澄;江戶徹;菅原雄二;阿野誠士;澤島隼
• 申請（專利權）人: 株式會社思可林集團
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 董雅會;向勇

本發明涉及抑制產生處理殘留物和產生液體飛濺的基板處理裝置及其方法。該裝置具有基板的旋轉保持部、沿著大致鉛垂方向噴射處理液的液滴的噴流的第一噴嘴、噴出處理液的連續流的第二噴嘴、使第一噴嘴和第二噴嘴一體移動的噴嘴移動部。當第一噴嘴位于基板的周緣部的上方時，連續流的著落位置比液滴的噴流的著落位置更靠旋轉中心側。而且，液滴的噴流的著落位置和連續流的著落位置這兩者的移動路徑不同，和/或連續流和液滴的噴流這兩者的流向不同。這兩者的移動路徑不同是因當第一噴嘴位于基板的周緣部的上方時，連續流的著落位置比液滴的噴流的著落位置的移動路徑更靠旋轉方向的下游側。這兩者的流向不同是因連續流相對于鉛垂方向傾斜。

技術領域

本發明涉及一種通過一邊使基板旋轉一邊向基板供給處理液來處理基板的基板處理技術。作為處理對象的基板包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示面板用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板以及光掩膜用基板等各種基板。

背景技術

在如這樣的基板的制造工藝中，例如在專利文獻1、2中披露了如下的處理基板的裝置。該處理基板的裝置具有：雙流體噴嘴和向基板上噴出處理液的連續流的噴嘴(也稱為“直噴嘴”)。該雙流體噴嘴是將處理液與被加壓的氣體混合來生成處理液的液滴的噴流，向基板噴射生成的液滴的噴流。通過使這些噴嘴沿著基板的上方的同一路徑相隔規定的間隔一體地進行掃描，來處理基板。

專利文獻1的基板處理裝置在從直噴嘴沿著鉛垂方向朝向基板噴出比較少量的純水等清洗液的連續流，來利用清洗液浸濕基板表面的狀態下，從雙流體噴嘴沿著鉛垂方向朝向基板噴出比較大量的清洗液的霧來清洗基板。通過這樣，與向干燥的基板噴出清洗液的霧的情況相比，能夠抑制霧從基板表面飛散，防止產生因飛散的清洗液的霧附著于基板而導致的水印狀的缺陷。另外，該裝置在雙流體噴嘴與直噴嘴之間具有遮擋板。通過這樣，該裝置避免因清洗液的連續流和清洗液的霧在到達基板表面為止的路徑途中相互干擾而導致的清洗液的霧飛散。進一步地，該裝置還通過沿著鉛垂方向噴出用于浸濕基板表面的清洗液的連續流，來降低向基板上噴出的該連續流的水平方向的動能，以此防止基板表面的清洗液的飛散。

另外，在專利文獻1中披露了如下的一種基板處理裝置作為變形例。該基板處理裝置使直噴嘴和雙流體噴嘴一體地進行掃描。該直噴嘴沿著鉛垂方向朝向基板噴出比較少量的清洗液的連續流。該雙流體噴嘴沿著傾斜方向朝向被該連續流浸濕的基板噴出比較大量的清洗液的霧。在該變形例中，在直噴嘴與雙流體噴嘴之間設有沿著傾斜方向延伸的遮擋板，在該遮擋板上安裝有雙流體噴嘴。由此，即使是變形例的裝置也可以防止清洗液的連續流和清洗液的霧在到達基板表面為止的路徑途中相互干擾而引起清洗液的霧飛散。

專利文獻2的基板處理裝置通過從直噴嘴沿著鉛垂方向朝向基板噴出臭氧水等氧化性處理液的連續流，在形成于基板上的氧化膜上從雙流體噴嘴沿著鉛垂方向朝向基板噴射氫氟酸等蝕刻液的液滴的噴流，來將基板上的異物與氧化膜一起除去。該裝置由于直噴嘴和雙流體噴嘴一體地掃描，所以與使噴出氧化性處理液的直噴嘴掃描來完成基板上表面的整個區域的氧化處理之后，使噴射蝕刻液的液滴的噴流的雙流體噴嘴掃描來進行基板上表面的整個區域的蝕刻處理的情況相比，能夠縮短基板的處理時間。

專利文獻1：JP特開2003-209087號公報

專利文獻2：JP特開2005-86181號公報

在使用通過與蝕刻液等化學反應處理來對形成于基板上的膜進行處理的處理液的情況下，通常，當處理液處于高溫時，處理液的反應活性變高。因此，在蝕刻處理中，通過向處理對象的基板表面供給設定在反應活性較高的溫度的大量的蝕刻液，來謀求提高蝕刻率。另外，在有些情況下，因蝕刻液與膜的化學反應導致膜的表面產生氣泡。當產生氣泡時，該產生氣泡的部分的反應不繼續進行而產生蝕刻殘留物。若供給至基板上的蝕刻液處于高溫，則蝕刻液的反應活性變高，所以氣泡的產生量變多。因此，在蝕刻處理中，為了有效地避免產生蝕刻殘留物，在蝕刻液形成于基板上的液膜處于高溫的狀態下，需要通過攪拌該液膜使氣泡移動，防止氣泡停留在膜的表面。