[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510599007.4 | 申請日: | 2015-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN105448662B | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 藤原直澄;江戶徹;菅原雄二;阿野誠士;澤島隼 | 申請(專利權)人: | 株式會社思可林集團 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
旋轉(zhuǎn)保持部,一邊水平地保持基板一邊使該基板旋轉(zhuǎn),
第一噴嘴,將處理液與被加壓的氣體混合來生成所述處理液的液滴的噴流,向所述基板的上表面沿著鉛垂方向噴射所述液滴的噴流,
第二噴嘴,向所述基板的上表面噴出所述處理液的連續(xù)流,
噴嘴移動部,一邊保持所述第一噴嘴與所述第二噴嘴的位置關系恒定,一邊使所述第一噴嘴和所述第二噴嘴在所述基板的上方一體地移動;
所述噴嘴移動部以使所述液滴的噴流在所述基板上的著落位置經(jīng)過所述基板的旋轉(zhuǎn)中心的方式移動所述第一噴嘴,
在所述位置關系中,當所述第一噴嘴位于所述基板的周緣部的上方時,所述連續(xù)流在所述基板上的著落位置位于比所述液滴的噴流的著落位置更靠所述基板的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的位置,
所述基板的旋轉(zhuǎn)軌跡上的所述液滴的噴流的著落位置和所述連續(xù)流的著落位置這兩者的移動路徑不同,和/或所述連續(xù)流和所述液滴的噴流這兩者的流向不同,
所述這兩者的移動路徑的不同是由于當所述第一噴嘴位于所述基板的周緣部的上方時,所述連續(xù)流的著落位置位于比所述液滴的噴流的著落位置的移動路徑更靠所述基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)的位置,
所述這兩者的流向的不同是由于所述連續(xù)流的方向相對于鉛垂方向以越接近所述基板則所述液滴的噴流與所述連續(xù)流之間的間隔越寬的方式傾斜。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述這兩者的移動路徑相互重合,并且所述這兩者的流向不同。
3.一種基板處理方法,其特征在于,包括:
第一步驟,一邊水平地保持基板一邊使該基板旋轉(zhuǎn),
第二步驟,混合處理液與被加壓的氣體來生成所述處理液的液滴的噴流,與所述第一步驟并行地沿著鉛垂方向朝向所述基板的上表面噴射所述液滴的噴流,
第三步驟,與所述第一步驟以及第二步驟并行地向所述基板的上表面噴出所述處理液的連續(xù)流,
第四步驟,一邊保持所述液滴的噴流與所述連續(xù)流的位置關系恒定,一邊與所述第一~第三步驟并行地使所述液滴的噴流和所述連續(xù)流在所述基板上一體地移動;
在所述第四步驟中,以所述液滴的噴流在所述基板上的著落位置經(jīng)過所述基板的旋轉(zhuǎn)中心的方式使所述液滴的噴流移動,
在所述位置關系中,當所述液滴的噴流的著落位置位于所述基板的周緣部時,所述連續(xù)流在所述基板上的著落位置位于比所述液滴的噴流的著落位置更靠所述基板的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的位置,
所述基板的旋轉(zhuǎn)軌跡上的所述液滴的噴流的著落位置和所述連續(xù)流的著落位置這兩者的移動路徑不同,和/或所述連續(xù)流和所述液滴的噴流這兩者的流向不同,
所述這兩者的移動路徑的不同是由于當所述液滴的噴流的著落位置位于所述基板的周緣部時,所述連續(xù)流的著落位置位于比所述液滴的噴流的著落位置的移動路徑更靠所述基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)的位置,
所述這兩者的流向的不同是由于所述連續(xù)流的方向相對于鉛垂方向以越接近所述基板則所述液滴的噴流與所述連續(xù)流之間的間隔越寬的方式傾斜。
4.如權利要求3所述的基板處理方法,其特征在于,所述這兩者的移動路徑相互重合,并且所述這兩者的流向不同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





