[發(fā)明專利]電子部件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510595864.7
• 申請(qǐng)日: 2015-09-17
• 公開（公告）號(hào): CN105448875B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: O·黑伯倫;R·奧特雷姆巴;G·普雷科托;K·希斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及電子部件。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括橫向晶體管器件，該橫向晶體管器件包括上金屬化層。上金屬化層包括n個(gè)細(xì)長焊盤區(qū)域。n個(gè)細(xì)長焊盤區(qū)域中的相鄰細(xì)長焊盤區(qū)域耦合至橫向晶體管器件的不同電流電極。n個(gè)細(xì)長焊盤區(qū)域定界出了橫向晶體管的n?1個(gè)有源區(qū)域，n≥3。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件可以包括布置在半導(dǎo)體材料主體上的金屬化結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體材料主體包括耦合在半導(dǎo)體器件的電極與接觸焊盤之間的導(dǎo)電軌道。金屬化結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)導(dǎo)電層。也可以對(duì)接觸焊盤制作導(dǎo)電連接，以將半導(dǎo)體器件電耦合至包括外接觸的封裝體的襯底或者引線框架。外接觸用于將封裝體安裝在再分布板上，諸如，印刷電路板。封裝體可以包括覆蓋半導(dǎo)體器件和內(nèi)部電連接的外殼。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括橫向晶體管器件，該橫向晶體管器件包括上金屬化層。上金屬化層包括n個(gè)細(xì)長焊盤區(qū)域。n個(gè)細(xì)長焊盤區(qū)域中的相鄰細(xì)長焊盤區(qū)域耦合至橫向晶體管器件的不同電流電極。n個(gè)細(xì)長焊盤區(qū)域定界出了橫向晶體管的n-1個(gè)有源區(qū)域，其中n≥3。

附圖說明

附圖的元件并不一定是按照相對(duì)彼此之間的比例繪制而成。類似的附圖標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的相似部分。各個(gè)圖示的實(shí)施例的特征可以進(jìn)行組合，除非它們彼此相斥。在附圖中描繪了各個(gè)實(shí)施例，并且在以下的說明中詳細(xì)描述了這些實(shí)施例。

圖1圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的包括上金屬化層的半導(dǎo)體器件。

圖2圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的頂視圖。

圖3圖示了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的頂視圖。

圖4圖示了根據(jù)第二實(shí)施例的包括上金屬化層的半導(dǎo)體器件。

圖5圖示了在圖4中圖示的半導(dǎo)體器件的頂視圖，并且圖示了中間金屬化層。

圖6圖示了根據(jù)第三實(shí)施例的中間金屬化層和下金屬化層的頂視圖。

圖7圖示了沿著圖6的線A-A的截面圖。

圖8圖示了沿著圖6的線B-B的截面圖。

圖9圖示了沿著圖6的線C-C的截面圖。

圖10圖示了根據(jù)第四實(shí)施例的具有第三層金屬化結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的頂視圖。

圖11圖示了沿著圖10的線D-D的截面圖。

圖12圖示了沿著圖10的線E-E的截面圖。

圖13圖示了沿著圖10的線F-F的截面圖。

具體實(shí)施方式

在以下詳細(xì)說明中，參照對(duì)應(yīng)的附圖，這些附圖形成本說明的一部分，并且在這些圖中以圖示的方式示出了可以實(shí)踐本發(fā)明的具體實(shí)施例。在這點(diǎn)上，方向性術(shù)語諸如“頂”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等是參照所描述的圖的取向來使用的。因?yàn)閷?shí)施例的部件可以定位在許多不同的取向上，所以方向性術(shù)語是用于圖示之目的，不以任何方式進(jìn)行限制。要理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以利用其它實(shí)施例，并且可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)改變或者邏輯改變。以下對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說明不是為了進(jìn)行限制，并且本發(fā)明的范圍由隨附權(quán)利要求書限定。

下面將對(duì)許多實(shí)施例進(jìn)行闡釋。在這種情況下，相同的結(jié)構(gòu)特征由圖中的相同或者相似的附圖標(biāo)記識(shí)別。在本說明的上下文中，應(yīng)該將“橫向”或者“橫向方向”理解為指通常與半導(dǎo)體材料或者半導(dǎo)體載體的橫向延度平行伸展的方向或者程度。橫向方向由此通常與這些表面或者邊平行地延伸。與之相反，應(yīng)該將術(shù)語“豎直”或者“豎直方向”理解為指通常與這些表面或者邊垂直地伸展并且由此與橫向方向垂直地伸展的方向。因此，豎直方向在半導(dǎo)體材料或者半導(dǎo)體載體的厚度方向上伸展。