[發明專利]電子部件

有效

• 申請號: 201510595864.7
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN105448875B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: O·黑伯倫;R·奧特雷姆巴;G·普雷科托;K·希斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種半導體器件，包括橫向晶體管器件，所述橫向晶體管器件包括上金屬化層，所述上金屬化層包括n個細長焊盤區域，所述細長焊盤區域中的相鄰細長焊盤區域耦合至所述橫向晶體管器件的不同電流電極，所述n個細長焊盤區域定界出了所述橫向晶體管器件的n-1個有源區域，其中n≥3；所述n個細長焊盤區域被布置在所述橫向晶體管器件的與所述有源區域相鄰的非有源區域中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述橫向晶體管器件包括LDMOS或者HEMT器件。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中所述半導體器件包括基于III族氮化物的橫向晶體管。

4.根據權利要求1至2中的一項所述的半導體器件，其中所述n個細長焊盤區域彼此平行地延伸。

5.根據權利要求1至2中的一項所述的半導體器件，其中每個有源區域包括多個第一電流電極和多個第二電流電極和多個控制電極。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述n個細長焊盤區域的第一細長焊盤區域耦合至在兩個相鄰所述有源區域中的所述第一電流電極。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述n個細長焊盤區域的第二細長焊盤區域耦合至在兩個相鄰所述有源區域中的所述第二電流電極。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一電流電極、所述第二電流電極和所述控制電極與所述上金屬化層的所述n個細長焊盤區域中的第一細長焊盤區域、第二細長焊盤區域和第三細長焊盤區域垂直地延伸。

9.根據權利要求1至2中的一項所述的半導體器件，其中所述上金屬化層包括耦合至源極的第一細長焊盤區域、耦合至漏極的第二細長焊盤區域和耦合至源極的第三細長焊盤區域，所述第二細長焊盤區域布置在所述第一細長焊盤區域與所述第三細長焊盤區域之間，所述第一細長焊盤區域和所述第二細長焊盤區域定界出了所述橫向晶體管器件的第一有源區域，并且所述第二細長焊盤區域和所述第三細長焊盤區域定界出了所述橫向晶體管器件的第二有源區域。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述上金屬化層的所述第一細長焊盤區域和所述第三細長焊盤區域由在所述第一細長焊盤區域與所述第三細長焊盤區域之間延伸的一個或者多個鍵合接線電耦合。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括中間金屬化層，所述中間金屬化層包括三個或者更多個細長槽道，其中相鄰所述槽道耦合至所述橫向晶體管的不同電流電極，其中每個槽道包括與所述槽道的長度垂直地延伸的多個指狀結構，相鄰所述槽道的所述指狀結構互鎖并且彼此電隔離。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述中間金屬化層的所述槽道布置在所述上金屬化層的細長焊盤區域之下。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中所述槽道通過至少一個導電過孔而電耦合至所述細長焊盤區域。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，進一步包括下金屬化層，所述下金屬化層包括多個細長焊盤區域，在所述中間金屬化層的每個指狀結構之下都布置有細長焊盤區域。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中所述下金屬化層的所述細長焊盤區域通過至少一個導電過孔而電耦合至所述中間金屬化層的所述指狀結構。

16.根據權利要求14或15所述的半導體器件，進一步包括布置在所述下金屬化層與所述中間金屬化層之間的第一介電層。