[發(fā)明專利]電感耦合等離子處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510589966.8 | 申請日: | 2015-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN105451426B | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳守鎬 | 申請(專利權(quán))人: | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京青松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 鄭青松 |
| 地址: | 韓國京畿道平*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電感 耦合 等離子 處理 裝置 | ||
本發(fā)明涉及電感耦合等離子處理裝置,本發(fā)明公開一種感應(yīng)場等離子處理裝置,包括:腔室主體;電介質(zhì)組裝體,設(shè)置成覆蓋所述長方形開口部,包括多個長方形電介質(zhì)及支撐所述多個電介質(zhì)的格子框架;基板支架,氣體噴射部;天線部,在所述處理空間形成感應(yīng)場,其中,所述格子框架,包括:最外廓框架,以所述長方形開口部為基準而形成最外廓;一個以上的內(nèi)側(cè)框架,位于所述最外廓框架的內(nèi)側(cè),從所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同;所述天線部,包括:最外廓天線部件,被布置成從所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同;一個以上的內(nèi)側(cè)天線部件,被布置成從所述內(nèi)側(cè)框架的內(nèi)側(cè)及外側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電感耦合等離子處理裝置。
背景技術(shù)
電感耦合等離子處理裝置是執(zhí)行蒸鍍工序、蝕刻工序等基板處理的裝置,在形成密閉處理空間的腔室主體與腔室主體的頂部設(shè)置電介質(zhì),在電介質(zhì)的上側(cè)設(shè)置高頻(RF)天線,并向天線施加電源而在處理空間形成感應(yīng)場,根據(jù)感應(yīng)場而使處理氣體等離子化,從而執(zhí)行基板處理。
這時,關(guān)于所述電感耦合等離子處理裝置的基板處理的對象,只要是需要蒸鍍、蝕刻等基板處理的對象,任何基板皆可,如AMOLED基板、LCD面板用基板、半導(dǎo)體晶片等。
同時,隨著對大型基板的需求增加,需處理更多數(shù)量的基板,為了響應(yīng)因此而出現(xiàn)的增加生產(chǎn)速度的要求,執(zhí)行基板處理的電感耦合等離子處理裝置也呈現(xiàn)大型化的趨勢。
并且,隨著電感耦合等離子處理裝置的大型化,所使用的電介質(zhì)因其制造上的局限及便利而被分成多個,且通過框架部件而支撐被分割的多個電介質(zhì)。
但是,根據(jù)以往的電感耦合等離子處理裝置,多個電介質(zhì)被金屬材質(zhì)的框架部件支撐,設(shè)置在上部的天線因其與框架部件的相互作用所導(dǎo)致的渦電流(Eddy current)等,對處理空間內(nèi)形成的感應(yīng)場產(chǎn)生直接的影響,電場根據(jù)天線的位置而變得不均勻,難以實現(xiàn)均勻的基板處理。
尤其,根據(jù)以往的電感耦合等離子處理裝置,因多個電介質(zhì)的大小相同,設(shè)置在其上部的天線部件與相鄰的天線部件之間的間隔因設(shè)置位置而變得不同,從而導(dǎo)致電場不均勻,難以實現(xiàn)均勻的基板處理。
發(fā)明內(nèi)容
(要解決的技術(shù)問題)
本發(fā)明的目的在于,為了解決如所述的問題點,提供一種感應(yīng)場等離子處理裝置,將天線部件適當(dāng)?shù)夭贾玫奖婚L方形格子框架支撐的多個電介質(zhì)上,從而在處理空間形成均勻的磁場。
(解決問題的手段)
本發(fā)明為了達成如所述的本發(fā)明的目的而提出,本發(fā)明公開一種感應(yīng)場等離子處理裝置,包括:腔室主體,其上側(cè)形成具有不同的幅度及寬度的長方形開口部;電介質(zhì)組裝體,設(shè)置成覆蓋所述長方形開口部,包括多個長方形電介質(zhì)及支撐所述多個電介質(zhì)的格子框架;基板支架,設(shè)置在所述腔室主體而支撐基板;氣體噴射部,向所述處理空間噴射氣體;天線部,設(shè)置在所述電介質(zhì)組裝體的上部,在所述處理空間形成感應(yīng)場,其中,所述格子框架,包括:最外廓框架,以所述長方形開口部為基準而形成最外廓;一個以上的內(nèi)側(cè)框架,位于所述最外廓框架的內(nèi)側(cè),從所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同;所述天線部,包括:最外廓天線部件,被布置成從所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同;一個以上的內(nèi)側(cè)天線部件,被布置成從所述內(nèi)側(cè)框架的內(nèi)側(cè)及外側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同。
所述內(nèi)側(cè)天線部件,被布置成從所述內(nèi)側(cè)框架的內(nèi)側(cè)及外側(cè)中的一側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同。
所述最外廓天線部件及所述內(nèi)側(cè)天線部件,被布置成平面上天線部件所占區(qū)域的中心線之間的寬度方向及幅度方向的距離相同。
所述最外廓天線部件及所述內(nèi)側(cè)天線部件,被布置成平面上天線部件所占區(qū)域中最近的多個邊緣處之間的寬度方向及幅度方向的距離相同。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于圓益IPS股份有限公司,未經(jīng)圓益IPS股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510589966.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





