[發明專利]SiC錠塊的切片方法

有效

• 申請號: 201510586907.5
• 申請日: 2015-09-15
• 公開（公告）號: CN105414776B
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 平田和也;西野曜子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/53
• 分類號: B23K26/53;B23K26/38
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發明提供SiC錠塊的切片方法，其能夠高效地從SiC錠塊切片出SiC基板。實施如下工序：初始分離層形成工序，使激光光線的聚光點(P)沿著分離預定面(4)與SiC錠塊(1)的端面(2)平行地掃描，在離開端面的位置形成分離層(5)；重復工序，在該初始分離層形成工序后，使聚光點(P)從該分離層向端面側每次移動與SiC板的厚度(D)相同的距離并與該端面平行地進行掃描，重復進行分離層的形成而形成多個分離層；和分離工序，對通過該重復工序形成的多個分離層施加外力，以分離層為起點進行剝離來獲取多塊SiC板(6)。能夠減少用于使激光光線在SiC錠塊的端面容易入射的鏡面加工的次數，能夠高效地從SiC錠塊獲取多塊SiC板。

技術領域

本發明涉及對由SiC構成的錠塊進行切片而得到SiC板的方法。

背景技術

圓柱狀或棱柱狀的錠塊被切片為多塊板狀工件。作為從錠塊切片出板狀工件的方法，存在通過鋼絲鋸進行切割的方法。例如，如果通過鋼絲鋸將由硅或玻璃等材質形成的錠塊切割為一個個板狀工件，則鋼絲鋸的切割余量(通過鋼絲鋸去除的部分的寬度)為100～150μm的寬度。因此，為了減小切片時的切割余量的寬度，提出有將激光光線的聚光點定位于錠塊的內部并使聚光點掃描來從錠塊切片出板狀工件的方法(例如，參照下述專利文獻1-3)。

這里，在錠塊如上所述是硅或玻璃的情況下，通過激光光線加工的部分、即切片截面被加工為鏡面。因此，通過重復進行在錠塊的內部形成分離層的激光加工和以分離層為起點切片為板狀工件的切片工序，能夠從錠塊得到板狀工件。

專利文獻1：日本特開2005-277136號公報

專利文獻2：日本特開2004-299969號公報

專利文獻3：日本特開2005-294325號公報

但是，在待進行切片的錠塊是SiC錠塊的情況下，通過激光光線加工后的切片截面不是成為鏡面，而是成為了如梨皮表面那樣粗糙的面。因此，每當從SiC錠塊切片出1塊SiC基板時，需要對進行了激光加工的切片截面進行鏡面加工，作業效率極差。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而完成的，本發明所要解決的課題是高效地從SiC錠塊切割出SiC板。

根據本發明，提供一種SiC錠塊的切片方法，其特征在于，該SiC錠塊的切片方法具備：初始分離層形成工序，使對于SiC錠塊具有透過性的波長的激光光線從SiC錠塊的端面入射并在SiC錠塊的內部形成聚光點，使該聚光點沿著與該端面平行的分離預定面呈面狀掃描，在從該端面離開的深度位置形成分離層；重復工序，在實施了該初始分離層形成工序后，使該聚光點從該分離層朝向該端面側依次移動與待剝離的SiC板的厚度相同的距離，并使該聚光點與該端面平行地呈面狀掃描，重復實施該分離層的形成，形成多個該分離層；和分離工序，在實施了該重復工序后，對通過該重復工序形成的多個該分離層施加外力，使SiC板以該分離層為起點分離，得到多塊SiC板。

優選的是，SiC錠塊的切片方法還具備下述這樣的表面處理工序：在實施了所述分離工序后，使殘留在SiC錠塊的端面上的分離層形成為能夠入射激光光線的面。

由于本發明的SiC錠塊的切片方法具備：初始分離層形成工序，將激光光線的聚光點定位于離開SiC錠塊的端面的深度位置，在SiC錠塊的內部形成分離層；重復工序，使激光光線的聚光點從分離層向端面側每次移動與SiC板的厚度相同的距離，在SiC錠塊的內部形成多個分離層；和分離工序，對各分離層施加外力，獲取多塊SiC板，因此，能夠以形成于SiC錠塊的內部的多個分離層為起點切割出多塊SiC板。

這樣，由于使激光光線的聚光點從最初形成的分離層向入射側的端面移動，因此，能夠減少端面的鏡面加工次數，其中，該端面的鏡面加工用于使激光光線容易入射到SiC錠塊中，并且能夠高效地從SiC錠塊切割出多塊SiC板。